Oem Transistoren

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Drucktaster SMD Touch 6,5x6,5mm Taster 2,5mm

Drucktaster SMD Touch 6,5x6,5mm Taster 2,5mm

1,23
TECHNISCHE DATEN: Kontakte 12Vdc 50mA Arbeitsdruck 160 /- 30gf Widerstand 100 Mohm. Max. Größe 6,5x6,5mm, Gesamthöhe 2,5mm Effektive Lebensdauer 100.000 Zyklen
NPN-Transistor 230V 17Amp 200W 2SC3264

NPN-Transistor 230V 17Amp 200W 2SC3264

7,77
Transistor 3633-DI MT-200 NPN-Polarität Kollektor zu Transmitter Spannung 230V Kollektorstrom 17A Leistung 200W MT-200-Kapselung Montage durch Bohrung
P2503HVG SMD-Transistor für LCD-TV

P2503HVG SMD-Transistor für LCD-TV

9,78
P2503HVG Transistor SMD Für LCD TVP2503HVG Transistor SMD Für LCD TV LCD . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
Transistor 2sa1103

Transistor 2sa1103

8,85
Transistor 2sa1103Transistor 2sa1103 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
Transistor NPN 45V 0,8Amp Kapsel TO92 BC337-40

Transistor NPN 45V 0,8Amp Kapsel TO92 BC337-40

1,90
TECHNISCHE DATEN: NPN-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 50V Kollektorstrom 0,8A Verlustleistung 625mW TO92-Gehäuse THT-Montage Frequenz 100MHz
Mikro-Taster 2 Stifte 4,3mm SW074

Mikro-Taster 2 Stifte 4,3mm SW074

3,35
TECHNISCHE DATEN: Hersteller CANAL ELECTRONIC Typ des TACT-Mikroschalters Kontaktkonfiguration SPST-NO (Open at Rest) Anzahl aller Positionen 2 Anzahl der stabilen Positionen 1 Kontaktbelastbarkeit 0,05A / 12V DC Schaltkraft 1,6N Gehäuseabmessungen 6x3,5x3,2mm Betätigungsmodus (Position in Klammern ist eine temporäre Position) OFF-(ON) Lötausgang...
Isolator für TO220-Transistor MICA Maßnahmen 18x13mm

Isolator für TO220-Transistor MICA Maßnahmen 18x13mm

0,55
Isolator für TO220 Transistor De MICA Maße 18x13mmÄquivalent mit: AM2015 . MitGarantie of 3 Jahre bietet aQualität ofhigh performance.
AC188K Transistor

AC188K Transistor

18,51
Transistor AC188KTransistor AC188K . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
BC160 Transistor

BC160 Transistor

11,20
Transistor 11562-DI PNP-Polarität TO-39-Kapsel Spannung 40V Leistung 0,8/4W Strom 1A
Transistor N-MosFet 30A 50V TO220 BUZ11A

Transistor N-MosFet 30A 50V TO220 BUZ11A

2,80
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Produktkategorie MOSFET N TO-220-3-Kapsel Transistorpolarität N-Kanal Anzahl der Kanäle 1 Spannung zwischen Drain und Source 50 V Dauerhafter Drainstrom: 26 A Spannung zwischen Gate und Source - 20 V, 20 V Minimale Arbeitstemperatur - 65º C Maximale Arbeitstemperatur 175º C Verlustleistung 75 W
Mikroschalter 16A 250Vac mit 54mm Hebel Äquivalent mit RL6

Mikroschalter 16A 250Vac mit 54mm Hebel Äquivalent mit RL6

2,55
TECHNISCHE DATEN: Mikroschalter mit Hebel Hebel: 54mm Länge Kontaktkonfiguration: SPDT EIN-(ON) Kontaktbelastung: 14A/250Vac Positionen: 2 eine stabile Klemmen: 6,3mm Faston-Typ Gehäuseabmessungen: 27,8x10,3x18,8mm Schaltkraft: 2,5N Lebensdauer: 100.000 Zyklen Entspricht der Norm: IEC 1058-1 Marke: HIGHLY Äquivalenz mit: CT860C
BF966 Transistor

BF966 Transistor

1,82
BF966 TransistorBF966 Transistor . Mit einer 3-Jahres-Garantie für hohe Leistung und Qualität.
Transistor NPN 16A 140V 150W Kapsel TO3 2N3773 CDIL

Transistor NPN 16A 140V 150W Kapsel TO3 2N3773 CDIL

5,42
TECHNISCHE DATEN: Hersteller CDIL NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 140V Kollektorstrom 16A Verlustleistung 150W Gehäuse TO3
NPN-Transistor 2SC2166

NPN-Transistor 2SC2166

2,84
SPEZIFIKATIONEN: NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 75V Kollektorstrom 4A Leistung 6W TO220-Gehäuse Frequenz 27MHz
Transistor PNP 30Amp 120V Darlington TO3 MJ11015G

Transistor PNP 30Amp 120V Darlington TO3 MJ11015G

4,53
Transistor Typ: PNP Kollektor-Transmitter Spannung: 120V Kollektorstrom: 30Amp Leistung: 200W Gehäuse: TO3 Marke: ON SEMICONDUCTOR
PNP-Transistor 50V 150mA 400mW TO92 2SA1015

PNP-Transistor 50V 150mA 400mW TO92 2SA1015

0,95
Transistor-Typ PNP Polarisation bipolar Kollektor-Emitter-Spannung 50V Kollektorstrom 150mA Leistung 400mW Gehäuse TO92 Montage THT Frequenz 80MHz
NPN-TO92-Transistor 2SC2236

NPN-TO92-Transistor 2SC2236

1,89
TECHNISCHE DATEN: Silizium-NPN-Transistor 3534-DI für Audio-Leistungsverstärker-Anwendungen. TO-92MOD 3-polig. Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C.
NPN-Transistor 80V 1,5A TO126 BD139

NPN-Transistor 80V 1,5A TO126 BD139

3,85
TECHNISCHE DATEN: Hersteller CDIL NPN-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 80V Kollektorstrom 1,5A Verlustleistung 12,5 W TO126-Gehäuse Transistoranhebung 40...250
NPN-Transistor 60V 1,5Amp 8W TO126 BD137

NPN-Transistor 60V 1,5Amp 8W TO126 BD137

1,94
NPN-Transistor 60V 1,5Amp 8W TO126 BD137
Transistor FDS8958A-SMD N/P-MosFet 30/30V SO8

Transistor FDS8958A-SMD N/P-MosFet 30/30V SO8

2,09
Transistor FDS8958A-SMD N/P-MosFet 30/30V SO8Transistor FDS8958A-SMD N/P-MosFet 30/30V SO8 . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
L-53P3C Infrarot-Fototransistor 5mm BPW40

L-53P3C Infrarot-Fototransistor 5mm BPW40

1,68
Fototransistor L-53P3C (BPW40 ) Hersteller KINGBRIGHT ELECTRONIC LED-Diode Durchmesser 5mm Wellenlänge am Punkt der maximalen Empfindlichkeit 940nm Kollektor-Emitter-Spannung 30V Betrachtungswinkel 30°. Transparente Diodenlinse Standby-Strom 100nA
Widerstand Kohle 1K 1/2W 5% Größe 3,2x9mm Axial

Widerstand Kohle 1K 1/2W 5% Größe 3,2x9mm Axial

1,65
Widerstand Carbon 1K 1/2W 5% Größe 3,2x9mm AxialResistor Carbon 1K 1/2W 5% Größe 3,2x9mm Axial . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
2SC3858 Transistor

2SC3858 Transistor

9,80
2SC3858 Transistor2SC3858 Transistor . Mit einer 3-Jahres-Garantie für hohe Leistung und Qualität.
PNP-Transistor 100V 15A 150W TO3 MJ2955

PNP-Transistor 100V 15A 150W TO3 MJ2955

2,80
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ISC PNP-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 60V Kollektorstrom 15A Verlustleistung 115W Gehäuse TO3 Montage Frequenz 2,5MHz
Transistor NPN 180v 15A 130W Kapsel TO3P 2SC3856

Transistor NPN 180v 15A 130W Kapsel TO3P 2SC3856

3,49
Transistor-Typ NPN Kollektorstrom (Ic) max. 15A Schaltspannung - Kollektor-Emitter (max.) 180V Sättigung Vce (max.) bei Ib, Ic 2V bei 500mA, 5A Kollektor-Abschaltstrom (max.) 100µA (ICBO) DC-Verstärkung (hFE) (min.) bei Ic, Vce 50 bis 3A, 4V Maximale Leistung 130W Frequenz - Übergang 20MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montage Typ Durchgangsbohrung...
Transistor BU406TU NPN 200V 7A 60W TO220AB

Transistor BU406TU NPN 200V 7A 60W TO220AB

3,87
Transistor BU406TU NPN 200V 7A 60W TO220AB
2SA1302 TOSHIBA Transistor

2SA1302 TOSHIBA Transistor

10,70
Transistor 2SA1302 TOSHIBATransistor 2SA1302 TOSHIBA . Mit 3 Jahren Garantie auf Qualität aufhohe Leistung .
Transistor NPN 140V 20A Kapsel TO3 MJ15003

Transistor NPN 140V 20A Kapsel TO3 MJ15003

4,45
Typ: 18827-DI Silizium: NPN Spannung: 140V Strom: 20A Leistung: 250W 10 MHz Kapsel: TO3
2SC2235Y NPN TO92 Transistor

2SC2235Y NPN TO92 Transistor

1,20
TECHNISCHE DATEN: Transistor Toshiba 3533-DIY Modell NPN-Polarität Silizium-Transistor Spannung 120V Stromstärke 0,8A TO-92-Kapsel
NTC 1K 1/2W Thermistor -55º + 125º Scheibendurchmesser 6,5mm

NTC 1K 1/2W Thermistor -55º + 125º Scheibendurchmesser 6,5mm

2,80
NTC 1K 1/2W Thermistor -55º + 125º Scheibendurchmesser 6,5mmNTC 1K 1/2W Thermistor -55º + 125º Scheibendurchmesser 6,5mm . Mit 3 Jahren Garantie auf hohe Leistung Qualität of.
8R2 8WV Rarialer gewickelter Widerstand 8,2 Ohm 8W

8R2 8WV Rarialer gewickelter Widerstand 8,2 Ohm 8W

0,95
8R2 8WV Rarial Wound Resistor 8,2 Ohm 8W8R2 8WV Rarial Wound Resistor 8,2 Ohm 8W . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a Qualität of hohe Leistung.
Transistor NPN 45V 200mA 0,75W TO18 BC107B

Transistor NPN 45V 200mA 0,75W TO18 BC107B

1,35
Transistor 11552-DI TO18 Hersteller CDIL Transistor Typ NPN Kollektor-Emitter-Spannung 45V Kollektorstrom 0,2A Verlustleistung 0,2/0,75 W TO18 Gehäuse
NPN-Transistor-Vorverstärker 2SC9014

NPN-Transistor-Vorverstärker 2SC9014

1,90
TECHNISCHE DATEN: Audio-Vorverstärker Geräuscharm NPN-Transistor Spannung 50V 100mA 450mW TO 92
5L0380R 4poliger Transistor TO220F

5L0380R 4poliger Transistor TO220F

5,25
7887-DI Integrierte Schaltung TO-220F-4-Kapsel 4 Stifte Hochspannungs-SenseFET SenseFET Mit PWM-Modus. Es ist ein PWM-Controller mit integrierter integrierte Festfrequenzen
Transistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMD

Transistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMD

1,82
Transistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMDTransistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMD . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a hohe Qualität ofleistung .
NPN-Transistor TO220 2SC2312

NPN-Transistor TO220 2SC2312

2,22
TECHNISCHE DATEN: NPN-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 60V Kollektorstrom 6A Leistung 18,5 W TO220-Gehäuse Frequenz 27MHz
2N3055 NPN-Transistor 60V 115W 15Amp TO3 CDIL

2N3055 NPN-Transistor 60V 115W 15Amp TO3 CDIL

2,46
2N3055 CDIL-Transistor NPN Bipolarer Transistortyp Kollektor-Emitter-Spannung 60V Kollektorstrom 15Amp Leistung 115W mit Kühlkörper TO3-Gehäuse Frequenz 2,5Mhz Marke CDIL
2SB649A PNP-Transistor 180V 1,5A TO126C

2SB649A PNP-Transistor 180V 1,5A TO126C

2,10
TECHNISCHE DATEN: PNP-Typ-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 160 V Kollektorbasisspannung 180 V Emitter-Basisspannung 5 V Kollektorstrom 1,5 A Kollektor-Verlustleistung 20 W TO-126-Kapsel
IGBT-Transistor 600V 75A 380W TO247-3

IGBT-Transistor 600V 75A 380W TO247-3

17,51
Produkt: IGBT-Module Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V Kollektor-Dauerstrom: 75Amp Leistung: 380W Gate-Emitter-Ableitstrom: 100 na Kapsel: TO247-3 Betriebstemperatur: -50ºC bis 150ºC
4N25 Optokoppler DIP6 Integrierte Schaltung EVERLIGHT

4N25 Optokoppler DIP6 Integrierte Schaltung EVERLIGHT

2,10
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Everlight Kategorie Optokoppler für Transistorausgang PDIP-6-Kapsel Ausgang Typ NPN Fototransistor Anzahl der Kanäle 1 Kanal Wenn Frontstrom 50mA Kollektor-Emitter-Spannung max. 70V Isolationsspannung 5000Vrms Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 0,5V Vf Vorwärtsspannung 1,5V Rückwärtsspannung 6V...
BF494 Transistor

BF494 Transistor

1,94
BF494 TransistorBF494 Transistor . Mit einer 3-Jahres-Garantie, die hohe Qualität und hohe Leistung bietet.
2SC4131 Transistor

2SC4131 Transistor

6,03
53129-DI Transistor Hersteller SANKEN NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 50V Kollektorstrom 15A Verlustleistung 60W TO3PF-Gehäuse Frequenz 18MHz
Transistor NPN 45V 1,5Amp TO126 BD135

Transistor NPN 45V 1,5Amp TO126 BD135

1,94
TECHNISCHE DATEN: Hersteller CDIL NPN-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 45V Kollektorstrom 1,5A Verlustleistung 12,5 W TO126-Gehäuse Transistoranhebung 40...250 THT-Montage
PNP-Transistor, 180V, 15A, 130W, Kapsel TO3P 2SA1492

PNP-Transistor, 180V, 15A, 130W, Kapsel TO3P 2SA1492

3,94
TECHNISCHE DATEN: Typ - PNP Kollektor-Emitter-Spannung: -180 V Kollektor-Basisspannung: -180 V Emitter-Basisspannung: -6 V Kollektorstrom: -15 A Kollektor-Verlustleistung - 130 W Gleichstromverstärkung (hfe) - 50 bis 180 Übergangsfrequenz - 20 MHz Betriebs- und Lagertemperaturbereich -55 bis 150 ° C Kapsel - TO-3P
F9640 TRANSISTOR TO-220 ROHS-KONFORM

F9640 TRANSISTOR TO-220 ROHS-KONFORM

35,12
TRANSISTOR TO-3P -ROHS-KONFORM

TRANSISTOR TO-3P -ROHS-KONFORM

16,65
TRANSISTOR TO-3P-ROHS-KONFORM

TRANSISTOR TO-3P-ROHS-KONFORM

11,25
IGBT-Transistor 600V 60Amp 300W TO247 FGH60N60SMD

IGBT-Transistor 600V 60Amp 300W TO247 FGH60N60SMD

12,67
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO247-3 Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 180A
FDS6690A-SMD SMD-Transistor

FDS6690A-SMD SMD-Transistor

1,57
FDS6690A-SMD Transistor SMDFDS6690A-SMD Transistor SMD . Mit 3 Jahren Garantie of Qualität of hohe Leistung .
IGBT-Transistor 650V 60A 300W TO3P FGA60N65SMD

IGBT-Transistor 650V 60A 300W TO3P FGA60N65SMD

13,41
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 650V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO3P-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom bei Impuls 180A Gate-Last 284nC
Fischer Elektronik - Transistor-Haltefeder, 10fach Passend für (Gehäuseart (Halbleiter)): TO-218, to-

Fischer Elektronik - Transistor-Haltefeder, 10fach Passend für (Gehäuseart (Halbleiter)): TO-218, to-

8,37
Beschreibung Universelle Haltefeder. Schnelle und einfache Montage der Transistoren Lieferumfang Lieferung ohne Schraube
TRANSISTOR N-KANAL MOSFET 150A 175V TO-247AD

TRANSISTOR N-KANAL MOSFET 150A 175V TO-247AD

33,69
Fischer Elektronik - Transistor-Haltefeder, 1fach Passend für (Gehäuseart (Halbleiter)): TO-218, TO-2

Fischer Elektronik - Transistor-Haltefeder, 1fach Passend für (Gehäuseart (Halbleiter)): TO-218, TO-2

31,-
Fischer Elektronik - Transistor-Haltefeder, 2fach Passend für (Gehäuseart (Halbleiter)): TO-218, TO-2

Fischer Elektronik - Transistor-Haltefeder, 2fach Passend für (Gehäuseart (Halbleiter)): TO-218, TO-2

3,40
K40H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 80A TO-247

K40H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 80A TO-247

23,05
Fischer Elektronik - Transistor-Klammer Passend für (Gehäuseart (Halbleiter)): TO-247, TO-218 (l x b

Fischer Elektronik - Transistor-Klammer Passend für (Gehäuseart (Halbleiter)): TO-247, TO-218 (l x b

8,90
Überblick Materialstärke 0.8 mm Beschreibung Über Transistor und Montageplatte aufschiebbar. Sie ermöglicht einfachste Montage bei hoher Andruckkraft und festem Halt
BUH1015 Transistor TO3

BUH1015 Transistor TO3

3,92
BUH1015 Transistor TO3BUH1015 Transistor TO3 . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten hohe Leistung Qualität of.
SMD-Transistor BC857C

SMD-Transistor BC857C

1,10
Transistor SMD BC857CTransistor SMD BC857C . Mit 3 Jahren Garantie of Qualität of hohe Leistung .
INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung

INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung

0,64
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W
Transistor BC558C TO92

Transistor BC558C TO92

2,25
Transistor BC558C TO92Transistor BC558C TO92 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
Ninigi - Glimmer TO3-Transistor-Isolator

Ninigi - Glimmer TO3-Transistor-Isolator

1,94
Technische Daten: Wärmewiderstand 0,35K/W Länge 41,5mm Breite 28,2mm Gleichwertig mit: AMTO3
Transistor TO92 BC548B

Transistor TO92 BC548B

1,50
Transistortyp: NPN Bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Kollektorstrom: 100mA Leistung: 500mW Gehäuse: TO92 Frequenz: 300Mhz
Transistor TO18 BC108B

Transistor TO18 BC108B

1,42
Transistor TO18 BC108BTransistor TO18 BC108B . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
Kühler Radiator TO-220 Transistor-Kühler Kühlkörper Aluminium-Kühlkörper Transistor-Kühler für PC

Kühler Radiator TO-220 Transistor-Kühler Kühlkörper Aluminium-Kühlkörper Transistor-Kühler für PC

3,04
Kühler Radiator TO-220 Transistor-Kühler Kühlkörper Aluminium-Kühlkörper Transistor-Kühler für PC
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

13,96
Vergleichen 2 preise
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15003 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15003 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

13,96
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15015 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15015 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

13,08
Isolator für Transistor TO220 von Glimmer Maßnahmen 18x13mm

Isolator für Transistor TO220 von Glimmer Maßnahmen 18x13mm

1,30
TECHNISCHE DATEN: Hersteller NINIGI Thermisch leitfähige Glimmerscheibe TO220 verwenden Thermischer Widerstand 1,2K/W Länge 18mm Breite 13mm Dicke 0,1mm Durchmesser der Montagebohrung 3mm
2SC1027 Transistor-Kapsel TO3

2SC1027 Transistor-Kapsel TO3

1,68
2SC1027 Transistor-Kapsel TO3Soja-Format TO3 . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a hohe Leistung Qualität of.
2SC3114S Transistor TO92

2SC3114S Transistor TO92

1,96
2SC3114S Transistor TO922SC3114S Transistor TO92 . Mit 3 Jahren Garantie von hoher Leistung Qualität of.
Transistor 2SC5905 TO-3 Panasonic

Transistor 2SC5905 TO-3 Panasonic

4,73
Transistor 2SC5905 TO-3 PanasonicTransistor 2SC5905 TO-3 Panasonic . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten hohe Leistung Qualität of.
RFP40N10 Transistor TO220

RFP40N10 Transistor TO220

5,05
Transistor 20304-DI MOSFET, N-Kanal, 40 A 100 V TO-220AB-3
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl der Kanäle 1 PNP

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl der Kanäle 1 PNP

15,29
Vergleichen 2 preise
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

15,29
K15H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 30A TO-247

K15H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 30A TO-247

10,10
TAIWAN SEMICONDUCTOR Transistor, TSM3401CX RFG, SMD, Leistung

TAIWAN SEMICONDUCTOR Transistor, TSM3401CX RFG, SMD, Leistung

0,48
Tsm3401Cx Mosfet 30 V, 3 A, Sot-23-3, P-Channel Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: Sot23 U-max: 30V I-max: 5,8A P-max: 1,25W
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