Kemo Transistoren
![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set](https://hwimages.beslist.net/beslist-images/pim/4024028041223/394/F300/33ae8dcf86243d58ffee2fc32e65f3a9/Transistoren/Kemo-Power-MOSFET-%26-IGBT-Transistoren-%5bS106%5d-MOSFET-IGBT-Set.jpg)
Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set
€13,61
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K40H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 80A TO-247
€23,05
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TRANSISTOR N-KANAL MOSFET 150A 175V TO-247AD
€33,70
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RJH3047 IGBT-Transistor
€7,11
RJH3047 IGBT Transistor IGBT Transistor N Channel High Speed . Mit 3 Jahren Garantie auf hohe Leistung Qualität of.
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Mosfet-sortiment
€27,86
Schalten und verstärken Sie elektronische Signale in Hochleistungsanwendungen mit diesem Set! Der Set enthält IRFZ44N, IRF540N, IRFP460, FQP47P06, IRL540, IRLZ44, NTP60N06L, FQP27P06, einen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode 17 A (IGBT) und e Produktinformationen Sprachen der Gebrauchsanweisung Niederländisch, Französisch, Deutsch,...
Vergleichen 2 preise
P-KANAL MOSFET 10A 500V BIS-220AB
€14,39
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N-KANAL MOSFET 50A 250V BIS-220AB
€13,26
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N-KANAL MOSFET 500V 20A BIS-3P
€17,01
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INFINEON IGBT IGW40N65F5
€3,50
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Igbt Bauform: To-247 max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 650 V max. Continuous Collector Current at 25°(Ic25): 74 A max. Pulsed Collector Current (Icpuls): 120 A Power Dissipation (Ptot): 255 W min. Gate Thereshold...
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K15H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 30A TO-247
€10,10
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IRFPC50 Mosfet-Transistor Mosfet 11A 600V IRFPC50A
€4,79
IRFPC50 Mosfet Transistor 11A 600V IRFPC50AIRFPC50 Mosfet Transistor 11A 600V IRFPC50A . MitGarantie of 3 Jahren bietet a hohe Leistung Qualität of.
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VISHAY Leistungs-MOSFET SI4532CDY
€0,44
Leistungs-MOSFET-Schalter, Smd, N+P-Channel, 30 V/ -30 V, 6,0/4,3 A, 1,78 W, So8.
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Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600 V Tube
€11,44
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Transistor-Set smd Transistoren ca. 100 Stück [S108] - Kemo
€2,54
Beschreibung Das Set enthält ca. 100 Stück SMD-Transistoren verschiedener Typen
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB3077PBF
€2,50
Uds 75 V, Id25 210 A, Rds(on) 0,0033 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 25 ns, td(off) 69 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 75 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 210 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0033 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF5305PBF
€0,82
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 31 A, 110 W, 0,06 Ω, To-220Ab.
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9530NPBF
€0,69
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 14 A, 79 W, 0,2 Ω, To-220Ab.
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFD024PBF
€1,10
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 60 V, 2,5 A, 1,3 W, 0,1 Ω, Dip4.
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF630NPBF
€0,63
Uds 200 V, Id25 9,3 A, Rds(on) 0,300 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 7,9 ns, td(off) 27 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 200 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 9,3 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,300 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRL540NPBF
€0,97
Uds 100 V, Id25 36 A, Rds(on) 0,044 Ω, Ugs(th) 1 V, td(on) 11 ns, td(off) 39 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 36 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,044 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 1 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF3710ZPBF
€1,10
Uds 100 V, Id25 59 A, Rds(on) 0,018 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 41 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 59 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,018 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF4905PBF
€1,46
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 74 A, 200 W, 0,02 Ω, To-220Ab.
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP3206PBF
€2,59
Uds 60 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,003 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 19 ns, td(off) 55 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-247Ac max. Drain-Source Voltage (Uds): 60 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 120 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,003 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF1010NPBF
€1,02
Uds 55 V, Id25 85 A, Rds(on) 0,011 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 39 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 85 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,011 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP250NPBF
€1,60
Uds 200 V, Id25 30 A, Rds(on) 0,075 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 41 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-247Ac max. Drain-Source Voltage (Uds): 200 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 30 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,075 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRLZ44NPBF
€0,68
Uds 55 V, Id25 47 A, Rds(on) 0,022 Ω, Ugs(th) 1 V, td(on) 11 ns, td(off) 26 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 47 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,022 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 1 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ34NPBF
€0,59
Uds 55 V, Id25 29 A, Rds(on) 0,04 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 7 ns, td(off) 31 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 29 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,04 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time (td...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB4110PBF
€3,55
Uds 100 V, Id25 180 A, Rds(on) 0,0045 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 25 ns, td(off) 78 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 180 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0045 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF1404PBF
€1,40
Uds 40 V, Id25 202 A, Rds(on) 0,004 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 46 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 40 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 202 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,004 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF3205PBF
€0,80
Uds 55 V, Id25 110 A, Rds(on) 0,008 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 50 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 110 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,008 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP260NPBF
€2,80
Uds 200 V, Id25 50 A, Rds(on) 0,040 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 55 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-247Ac max. Drain-Source Voltage (Uds): 200 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 50 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,040 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ48NPBF
€0,72
Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 34 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 64 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,014 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP150NPBF
€1,20
Uds 100 V, Id25 42 A, Rds(on) 0,036 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 11 ns, td(off) 45 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-247Ac max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 42 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,036 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ44NPBF
€0,58
Uds 55 V, Id25 49 A, Rds(on) 0,0175 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 44 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 49 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0175 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ24NPBF
€0,47
Uds 55 V, Id25 17 A, Rds(on) 0,07 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 4,9 ns, td(off) 19 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 17 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,07 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time (td...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF540NBBF
€0,75
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 33 A, 130 W, 0,044 Ω, To-220Ab.
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF2804PBF
€1,72
N-Channel, 40 V, 75 A, 300 W, 0,002 Ω, To-220Ab.
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRLB8721PBF
€0,75
Uds 30 V, Id25 62 A, Rds(on) 0,0087 Ω, Ugs(th) 1,35 V, td(on) 9,1 ns, td(off) 9 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 30 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 62 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0087 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 1,35 V Turn On Delay...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF530NPBF
€0,63
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 Ω, To-220Ab.
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2N60F N-KANAL MOSFET 600V 52A TO-247
€13,61
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W13NK100Z N-KANAL MOSFET 1000V 13A TO-247
€13,96
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N-MosFet-Transistor 2SK1529
€13,41
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Toshiba MOSFET-Transistorkategorie Kanal 1 Transistorpolarität N-Kanal TOP3N-Kapsel 2SJ200 Komplementär
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2SK2996 N-MosFet-Transistor
€3,45
TECHNISCHE DATEN: Hersteller: Toshiba Produktkategorie: MOSFET Gehäuse TO-220-3 Transistor-Polarität: N-Kanal Anzahl der Kanäle: 1 Spannung (Drain-Source-Trennung): 600 V Dauerhafter Drainstrom: 10 A Gate-zu-Source-Spannung: 30 V Minimale Betriebstemperatur: - 55 C Maximale Betriebstemperatur: 150 C Verlustleistung): 45 W Rückfallzeit: 27 ns...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9Z34NPBF
€0,60
Uds 55 V, Id25 19 A, Rds(on) 0,100 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 30 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 19 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,100 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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STMicroelectronics VNP35N07-E MOSFET 1 N-kanal 125 W TO-220
€10,88
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16N65M5 N-KANAL MOSFET 12A 650V BIS-220
€10,89
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N-Mosfet-Transistor IRFB18N50KPBF
€5,88
TECHNISCHE DATEN: N-MOSFET-Transistor Spannung 500V Strom 11A Leistung 220W Gehäuse TO220AB
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STP7NB80FP N-Mosfet-Transistor
€3,74
Transistor 52542-DI Transistor N-CHANNEL Spannung 800V POWERMESH Stromstärke 6,5A Leistung 40W TO220FP-Kapsel (isoliert)
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IGBT-Transistor 600V 75A 380W TO247-3
€17,51
Produkt: IGBT-Module Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V Kollektor-Dauerstrom: 75Amp Leistung: 380W Gate-Emitter-Ableitstrom: 100 na Kapsel: TO247-3 Betriebstemperatur: -50ºC bis 150ºC
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BUZ90A Mosfet-Transistor 4A. 600V
€5,86
BUZ90A Mosfet Transistor 4A. 600VBUZ90A Mosfet Transistor 4A. 600V . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahren bietet ahigh quality ofperformance.
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Toshiba - 2SK3562 N-Mosfet-Transistor TO220F
€2,40
Transistor 4147-DI Hersteller: Toshiba Transistor-Polarität: N-Kanal Drain-Source-Spannung 600V Dauerhafter Drainstrom 6A 4147-DI TO220F-Gehäuse
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Transistormessgerät LCR-T7 Multifunktions-Kapazitätswiderstandstester Vollfarbdisplay Transistormessgerät für Dioden Triode Kondensator Widerstand Transistor LCR NPN PNP MOSFET
€18,99
Transistormessgerät LCR-T7 Multifunktions-Kapazitätswiderstandstester Vollfarbdisplay Transistormessgerät für Dioden Triode Kondensator Widerstand Transistor LCR NPN PNP MOSFET
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HGT30N60A4 IGBT-Transistor N-Kanal 600V TO247
€10,66
Transistor 4557-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 463W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 240A Torlast 360nC
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IXYS Transistor unipolar (MOSFET) IXFH44N50P N-Kanal Gehäuseart TO-247AD I(D) 44 A U(DS) 500 V (IXFH44N50P)
€100,01
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Integrierter FDD8447L N-MosFet 40V 57A dpak
€3,13
FDD8447L DPACK-Transistor Hersteller ON SEMICONDUCTOR N-MOSFET-Transistortyp PowerTrench® Technologie Drain-Source-Spannung 40V Ableitstrom 50A Abgeleitete Leistung 44W DPAK-Gehäuse Tür-zu-Quelle-Spannung ±20V Widerstand im Übertragungszustand 14mΩ SMD-Montage
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Transistor N-Mosfet 500V 5A 38W TO220
€2,36
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON Semiconductor Kategorie MOSFET N TO-220FP-3-Kapsel Kanal 1 Spannung 500V Strom 5A Gate-Source Spannung 30V Temperatur -55ºC bis 150ºC Verlustleistung 38W
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IGBT-Transistor 1200V 40A 200W TO264 FGL40N120ANDTU
€21,39
Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Transistor Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 1,2kV Kollektorstrom 40A Verlustleistung 200W Gehäuse TO264 Eingangsspannung - Emitter ±25V Kollektorstrom im Impuls 160A Montage THT Torlast 330nC
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IGBT-Transistor 600V 80A TO247AB-3 FGH40N60UFTU
€10,31
50443-DI Transistor Kollektorstrom 80A Kollektor-Transmitter-Sättigungsspannung 1,8V Verlustleistung 290W Kollektor zu Emitter Spannung 600V TO247AB-Gehäuse Anzahl der Pins 3 Max. Betriebstemperatur 150°C
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Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247
€9,51
Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247 . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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IGBT-Transistor 600V 60Amp 300W TO247 FGH60N60SMD
€12,67
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO247-3 Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 180A
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Transistor N-MosFet 30A 50V TO220 BUZ11A
€2,80
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Produktkategorie MOSFET N TO-220-3-Kapsel Transistorpolarität N-Kanal Anzahl der Kanäle 1 Spannung zwischen Drain und Source 50 V Dauerhafter Drainstrom: 26 A Spannung zwischen Gate und Source - 20 V, 20 V Minimale Arbeitstemperatur - 65º C Maximale Arbeitstemperatur 175º C Verlustleistung 75 W
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Transisto IRFP150NPF Mosfet 44A 100V TO247AC
€3,47
Transistor 16576-DINPBF TO247AC Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES N-MOSFET-Transistortyp HEXFET®-Technologie Drain-Source-Spannung 100V Ableitstrom 30A Verlustleistung 160W TO247AC-Gehäuse Tür-zu-Quelle-Spannung ±20V
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Toshiba - MosFet-Transistor n 900V 2,5A 2SK3566
€2,44
TECHNISCHE DATEN: Hersteller TOSHIBA N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 900V Ableitstrom 2,5A Verlustleistung 40W TO220FP T-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Widerstand im Übertragungszustand 5,6Ω Gate-Last 12nC
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Transistor STP24NF10 MosFet 100V 26A 85W
€1,85
Transistor STP24NF10 MosFet 100V 26A 85WTransistor STP24NF10 MosFet 100V 26A 85W . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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IRFIZ48NPBF MosFet N-Transistor 55V 36A 42W
€2,51
IRFIZ48NPBF Transistor N MosFet 55V 36A 42WIRFIZ48NPBF Transistor N MosFet 55V 36A 42W . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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IRF730PBF mosfet 1 N-Kanal 74 w TO-220 - Vishay
€5,79
Beschreibung Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS
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Vishay - IRF510PBF mosfet 1 N-Kanal 43 w TO-220
€2,55
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N-MosFet-Transistor 200V 18Amp TO220 IRF640NPBF
€1,78
Hersteller Infineon Transistor Typ N-MOSFET Polarisation unipolar Drain-Source-Spannung 200V Drain-Strom 11A Verlustleistung 125W Gehäuse TO220AB Tür-zu-Quelle-Spannung ±20V Widerstand im Übertragungszustand 0.18Ω Montage THT Torlast 70nC
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IRFIZ34GPBF N-MosFet-Transistor 60V 20Amp TO220
€4,97
IRFIZ34GPBF N-MosFet Transistor 60V 20Amp TO220IRFIZ34GPBF N-MosFet Transistor 60V 20Amp TO220 . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor HGTP20N60A4 igbt 600V 70A 290W TO220
€5,79
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 290W TO220-3-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 280A Gate-Last 210nC
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Transistor HGTG40N60A4 IGBT 600V 63A 625W TO247
€6,63
Transistor HGTG40N60A4 IGBT 600V 63A 625W TO247
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IGBT-Transistor 650V 60A 300W TO3P FGA60N65SMD
€13,41
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 650V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO3P-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom bei Impuls 180A Gate-Last 284nC
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Transistor IRG4BC40U IGBT 600V 40A 160W TO220AB
€4,77
Transistor IRG4BC40U IGBT 600V 40A 160W TO220ABTransistor IRG4BC40U IGBT 600V 40A 160W TO220AB . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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STGW20NC60VD IGBT-Transistor 600V 30A 200W TO247-3
€6,23
Transistor 21666-DI Hersteller STMicroelectronics IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 30A Verlustleistung 200W TO247-3 Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 150A Gate-Last 140nC
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