Keramik Transistoren
IXGR32N60CD1 IGBT-Transistor 600V 45A Glas-Keramik
€9,55
Transistor 16668-DI Hersteller: IXYS IGBT-Transistoren ISOPLUS247-3 Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max.: 600 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2,1 V Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V Minimale Betriebstemperatur: - 55 C Maximale Betriebstemperatur: 150 C Kollektordauerstrom Ic Max.: 45 A Kollektor-Dauerstrom: 14 A IGBT-Transistoren
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FT-21.5T-5.0AS-467 Piezokeramisches Element Spannung: 30 v 1 St. - Kepo
€2,45
Überblick 30 V Beschreibung Flache Schallwandler wahlweise mit oder ohne Elektronikansteuerung Eigenschaften Ohne Elektronikansteuerung Hinweis Dieses Produkt enthält sog. "seltene Erden" und kann deshalb enormen Materialpreisschwankungen unterliegen
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Ugreat - 100 Stück TO-247 Aluminiumoxid-Keramik-Isolierplatten für MOS-IGBT-Transistor-Kühlpad 17 x 22 x 1 mm
€23,97
Funktionen 1. Aluminiumoxid-Keramikplatten sind spezielle Keramikplatten, die aus AL, O, ZrO2 als Hauptrohstoff und Oxid bestehen seltenes Metall, das bei mehr als tausend Grad schmilzt und kalziniert. 2. Mit hohem Schmelzpunkt, hoher Härte und ausgezeichneter Verschleißfestigkeit. 3. Die Härte des Keramikpflasters übertrifft nur die Härte von...
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Neu!
Fafeicy 100 Stück TO-247 Aluminiumoxid Keramik Isolierfolie, 17 x 22 x 1 mm mos Transistor mit 3,7 mm Loch, Wärmeleitfähigkeit 28 W/mk und
€16,84€22,73
-26%
Spezifikation: Zustand: 100% nagelneu Artikeltyp: Aluminiumoxid-Keramikplatte Material: Aluminiumoxid Farbe: Weiß Wärmeleitfähigkeit: 28 W/mk Isolationsleistung: 15 kV/mm Größe: Ca. 17 x 22 x 1 mm/0,67 x 0,87 x 0,04 Zoll Lochgröße: Ca. 3,7 mm Menge: 100 Stück Paketliste: 100 x Aluminiumoxid-Keramikplatte 1. Die Keramikplatte zeichnet sich durch...
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IGBT-Transistor 600V 40A 250W Kapsel TO247-3 für Vitroceramic STGW39NC60VD
€10,59
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 250W TO247-3 T-Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom bei Impuls 220A Gate-Last 126nC
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RJH3047 IGBT-Transistor
€7,11
RJH3047 IGBT Transistor IGBT Transistor N Channel High Speed . Mit 3 Jahren Garantie auf hohe Leistung Qualität of.
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K40H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 80A TO-247
€23,05
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K15H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 30A TO-247
€10,10
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IGBT-Transistor 600V 75A 380W TO247-3
€17,51
Produkt: IGBT-Module Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V Kollektor-Dauerstrom: 75Amp Leistung: 380W Gate-Emitter-Ableitstrom: 100 na Kapsel: TO247-3 Betriebstemperatur: -50ºC bis 150ºC
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HGT30N60A4 IGBT-Transistor N-Kanal 600V TO247
€10,66
Transistor 4557-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 463W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 240A Torlast 360nC
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Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247
€9,51
Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247 . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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IGBT-Transistor 1200V 40A 200W TO264 FGL40N120ANDTU
€21,39
Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Transistor Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 1,2kV Kollektorstrom 40A Verlustleistung 200W Gehäuse TO264 Eingangsspannung - Emitter ±25V Kollektorstrom im Impuls 160A Montage THT Torlast 330nC
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IGBT-Transistor 600V 60Amp 300W TO247 FGH60N60SMD
€12,67
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO247-3 Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 180A
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FGH30S130P IGBT-Transistor 1300V 30Amp 250W TO247
€10,29
Transistor 24723-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 1,3kV Kollektorstrom 30A Verlustleistung 250W TO247-3 T-Gehäuse Impuls-Kollektorstrom 90A
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IGBT-Transistor 600V 80A TO247AB-3 FGH40N60UFTU
€10,31
50443-DI Transistor Kollektorstrom 80A Kollektor-Transmitter-Sättigungsspannung 1,8V Verlustleistung 290W Kollektor zu Emitter Spannung 600V TO247AB-Gehäuse Anzahl der Pins 3 Max. Betriebstemperatur 150°C
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IGBT-Transistor 650V 60A 300W TO3P FGA60N65SMD
€13,41
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 650V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO3P-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom bei Impuls 180A Gate-Last 284nC
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Transistor HGTG40N60A4 IGBT 600V 63A 625W TO247
€6,63
Transistor HGTG40N60A4 IGBT 600V 63A 625W TO247
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STGW20NC60VD IGBT-Transistor 600V 30A 200W TO247-3
€6,23
Transistor 21666-DI Hersteller STMicroelectronics IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 30A Verlustleistung 200W TO247-3 Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 150A Gate-Last 140nC
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Transistor HGTP20N60A4 igbt 600V 70A 290W TO220
€5,79
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 290W TO220-3-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 280A Gate-Last 210nC
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IGBT-Transistor 600V 80A 290W TO247-3 FGH40N60SFDTU
€8,94
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 116W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 120A
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IGBT-Transistor 600V 80A 195W TO3P-3 SGH80N60UF
€12,34
20891-DI TO3P TRANSISTOR Verwendung in der Vitrokeramik IGBT TO3P TRANSISTOR Maximale Spannung 600 V Leistung 195 W Max.80 A Max. Temperatur 150 °C
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IXGR40N60C2D1 IGBT-Transistor 600V 55A 170W TO247
€9,83
TECHNISCHE DATEN: Hersteller IXYS IGBT-Transistor ISOPLUS247-3 Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max. 600V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 2,7V Gate-Emitter-Spannung max. 20V Minimale Betriebstemperatur -55ºC Maximale Betriebstemperatur 150ºC Kollektor-Dauerstrom Max. 56A
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Transistor mit Diode 600V 80A 195W igbt TO-3P SGH80N60UFD
€10,35
TECHNISCHE DATEN: IGBT-Transistoren TO-3P-3-Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max. 600 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 2,1 V Maximale Gate-Emitter-Spannung 20 V Kollektordauerstrom bei 25º C 80 A Verlustleistung 195 W Kollektor-Dauerstrom Ic Max 80 A Marke ON Semiconductor / Fairchild
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Fgh40t65shd-f155 Igbt Transistor 650v 40a To247 Fgh40t65shdf
€11,21
Transistor FGH40T65SHD-F-155 TO247 Hersteller ON Halbleiter IGBT-Transistor RoHS TO-247-Kapsel Spannung 650V Stromstärke 40A
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Transistor Igbt 600v 75a 428w To247-3 Ikw75n60t Ikw75n60t
€20,13
IGBT-Transistor IKW75N60T TO247-3 Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES Typ of IGBT-Transistor TRENCHSTOP™-Technologie Kollektor-Emitter-Spannung 600V Strom of Kollektor 75A Verlustleistung 428W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung -Emitter ±20V Strom of Kollektor im Impuls 225A Last of Gate 470nC Einschaltzeit 69ns Ausschaltzeit from off 401ns...
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Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set
€13,61
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Toshiba - Gt30j121q Igbt Transistor 600v 30a 170w To3pn Gt30j121q
€9,02
Transistor GT30J121Q TO3PN Hersteller TOSHIBA Typ of IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Strom of Kollektor 30A Verlustleistung 170W TO3PN-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Strom of Kollektor im Impuls 60A Einschaltzeit 240ns Ausschaltzeit of 430ns
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Transistor-Unterlegscheibe, 100pcs Transistor-Unterlegscheibe isolierte Plastikdistanzscheiben( 4) - Ej.life
€7,74€12,-
-35%
1. Diese aus hochwertigem Kunststoff gefertigten Transistorscheiben haben eine lange Lebensdauer. 2. Diese Unterlegscheiben zeichnen sich durch gute Isolierung, geringes Gewicht sowie Rost- und Korrosionsbeständigkeit aus. 3. Wird hauptsächlich zum Sperren von Transistoren verwendet, um Kurzschlüsse zwischen dem Transistorgehäuse und dem Kühler zu...
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F9640 TRANSISTOR TO-220 ROHS-KONFORM
€35,15
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TRANSISTOR TO-3P -ROHS-KONFORM
€16,65
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Transistor BD911, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220
€0,48
Leistungstransistor, bipolar, NF, Npn, 100 V, 15 A, 90 W, To-220.
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Transistor BD912, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO220
€0,69
Leistungstransistor, bipolar, NF, Pnp, 100 V, 15 A, 90 W, To-220.
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Transistor TIP102 100V 8A TO220
€2,44
Transistor TIP102 100V 8A TO220Transistor TIP102 100V 8A TO220 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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PNP-Transistor 100V 16Amp Darlington MJ4032
€8,07
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Darlington-Transistoren Polarität PNP Kollektor-Emitter-Spannung max. 100V Transmitter-Basisspannung 5V Kollektor-Basis-Spannung 100V Maximaler Kollektorstrom 16A Verlustleistung 150W TO-3-Kapsel Darlington-Transistoren
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Transistor BD242C, PNP, 100V, 3A, 40W, TO220
€0,38
Leistungstransistor Bd242C, Pnp, 100V, 3A, 40W, To220 Vergleichstyp: Tip32C.
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TRANSISTOR N-KANAL MOSFET 150A 175V TO-247AD
€33,70
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Transistor TIP112 NPN Darlington Diode 100V 50W
€1,57
Transistor TIP112 NPN Darlington Diode 100V 50WTransistor TIP112 NPN Darlington Diode 100V 50W . MitGarantie of 3 Jahren bietet ahigh quality ofperformance .
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Transistor-Set smd Transistoren ca. 100 Stück [S108] - Kemo
€2,53
Beschreibung Das Set enthält ca. 100 Stück SMD-Transistoren verschiedener Typen
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Sysmac NX1P CPU mit 24 digitalen Transistor-I/O (PNP), 1,5 MB Speicher, EtherCAT (0 Servoachsen, 4 PT
€1013,19
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Transistor BDX33C, NPN-Darl., 100 V, 10 A, 70 W, TO220
€0,61
Leistungstransistor Bdx33C, NPN-Darlington, 100 V, 10 A, 70 W, To220
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Transistor BDW94C, PNP-Darl., 100 V, 12 A, 80 W, TO220
€0,75
Leistungstransistor Bdw94C, PNP-Darlington, 100 V, 12 A, 80 W, To220
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Transistor BDX53C, NPN-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220
€0,50
Leistungstransistor Bdx53C, NPN-Darlington, 100 V, 8 A, 60 W, To220
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Transistor BDX34C, PNP-Darl., 100 V, 10 A, 70 W, TO220
€0,49
Leistungstransistor Bdx34C, PNP-Darllington, 100 V, 10 A, 70 W, To220
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Transistor BDX54C, PNP-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220
€0,50
Leistungstransistor Bdx54C, PNP-Darlington., 100 V, 8 A, 60 W, To220
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TRANSISTOR TO-3P-ROHS-KONFORM
€11,26
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TIP142 Transistor npn 100V 10A Darlingt TO247
€2,55
Darlington-Transistor 23021-DI Hersteller STMicroelectronics Transistor-Typ NPN Bipolare Polarisierung Darlington-Transistor-Klasse Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 10A Verlustleistung 125W TO247-3 Gehäuse
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Transistor TIP36C PNP 100V 25Amp TO247
€2,62
Transistor 23036-DI Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 25A Verlustleistung 125W Gehäuse TO247-3
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PNP-Transistor 100V 3A TO220 BD242C
€1,60
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 80V Kollektorstrom 3A Verlustleistung 40W Gehäuse TO220AB THT-Montage Frequenz 3MHz
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Transistor TIP147 PNP 100V 10A Darlingt TO247
€2,35
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Darlington-Transistor-Klasse Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 10A Verlustleistung 125W Gehäuse TO247-3
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2SA1491 PNP-Transistor 140V 10A 100W
€3,02
3282-DI Transistor Polarität PNP Kollektorbasisspannung 200V Kollektor-Emitter-Spannung 140V Emitter-Basisspannung 6V Kollektorstrom 10A Kollektor-Verlustleistung 100W Arbeitstemperatur -55 ~ 150°C
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BC846B SMD-Transistor 65V 100mA SOT23
€5,60
BC846B Transistor SMD 65V 100mA SOT23BC846B Transistor SMD 65V 100mA SOT23 . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor npn 100V 25Amp TO247 TIP35C
€2,66
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 25A Verlustleistung 125W TO247-3 Gehäuse
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TIP31C NPN-Transistor 3A 100V TO220
€1,90
Transistor 23031-DI Hersteller STMicroelectronics NPN-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 3A Leistung 40W TO220AB-Gehäuse
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Transistor STP24NF10 MosFet 100V 26A 85W
€1,85
Transistor STP24NF10 MosFet 100V 26A 85WTransistor STP24NF10 MosFet 100V 26A 85W . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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PNP-Transistor 100V 15A 150W TO3 MJ2955
€2,80
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ISC PNP-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 60V Kollektorstrom 15A Verlustleistung 115W Gehäuse TO3 Montage Frequenz 2,5MHz
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BC556B PNP-Transistor 65V 100mA Kappe TO92
€2,30
Transistor 11637-DI Transistor Typ PNP Kollektor-Emitter-Spannung 65V Kollektorstrom 0,1A Verlustleistung 0,5 W TO92-Gehäuse Transistoranhebung 200...450 Frequenz 100MHz
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Transistor, BSW65
€0,68
Bsw65 - To39
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ON SEMICONDUCTOR Transistor
€0,82
Technische Daten: Polung: PNP Gehäuse: To220 U-max: 100V I-max: 6A P-max: 65W
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Bipolarer PNP-Transistor 65V 100mA SOT23 SMD BC856-CDI
€1,15
Transistor PNP Bipolar 65V 100mA SOT23 SMD BC856-CDITransistor PNP Bipolar 65V 100mA SOT23 SMD BC856-CDI . MitGarantie of 3 Jahren bietet ahigh quality ofperformance .
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NPN-Transistor 100V 15A 150W SOT93 BDW83C
€7,24
Transistor NPN 100V 15A 150W SOT93 BDW83CTransistor NPN 100V 15A 150W SOT93 BDW83C . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a Qualität of hohe Leistung.
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PNP-Transistor 100V 6A Kapsel TO220AB BD244C
€2,42
Transistor Typ PNP Maximaler Kollektor-DC-Strom 6 A Maximale Kollektor-Transmitter-Spannung 100 V Paket Typ TO-220 Montage Typ Durchgangslochmontage Maximale Verlustleistung 65 W Minimale DC-Stromverstärkung 15 Maximale Basis-Kollektor-Spannung 100 V Maximale Emitter-Basis-Spannung 5 V Pin-Anzahl 3 Anzahl der Elemente pro Chip 1 Maximale...
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Transistor npn 100V 1A 800mA TO92 BC639-16
€1,94
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). NPN-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 1A Verlustleistung 800mW TO92-Gehäuse
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BC147A NPN-Transistor 50V 100mA 500mW TO92
€2,01
BC147A Transistor NPN 50V 100mA 500mW TO92BC147A Transistor NPN 50V 100mA 500mW TO92 . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor 100V 10Amp 80W TO247-3 TIP33CG
€3,69
TECHNISCHE DATEN: ON SEMICONDUCTOR Hersteller. NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 10A Verlustleistung 80W TO247-3 Gehäuse Frequenz 3MHz
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NPN-Transistor 100V 1A 30W TO220 TIP29C
€2,12
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 1A Verlustleistung 30W TO220AB-Gehäuse
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PNP-Transistor 160V 12A 100W TO218 2SB817
€2,55
TECHNISCHE DATEN: Transistor Typ PNP Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 160V Kollektorstrom 12A Leistung 100W Durchgangslochmontage
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PNP-Transistor 100V 3Amp 40W TO220 TIP32C
€1,62
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 3A Verlustleistung 40W TO220AB-Gehäuse
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NPN-Transistor 400V 12A 100W Kapsel TO220 KSE13009
€2,47
TECHNISCHE DATEN: Bipolare Transistoren - BJT Gehäuse: TO-220-3 Transistor-Polarität: NPN Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max.: 400 V Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 700 V Emitter-Basis-Spannung VEBO : 9 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung : 1 V Maximaler DC-Kollektorstrom: 12 A Produkt fT für Bandbreitenverstärkung: 4 MHz Betriebstemperatur: -...
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Transistor, Schalter, BC639
€0,11
Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: To92 U-max: 80V I-max: 1A P-max: 0,8W
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Transistor, Darlington, BC517
€0,13
Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: To92 U-max: 30V I-max: 1,0A P-max: 0,625W
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Transistor, Kleinsignal, MPSA42
€0,05
Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: To92 U-max: 300V I-max: 0,5A P-max: 0,62W
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15015 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN
€13,05
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15003 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN
€13,96
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