Brillen Transistoren
IXGR32N60CD1 IGBT-Transistor 600V 45A Glas-Keramik
€9,55
Transistor 16668-DI Hersteller: IXYS IGBT-Transistoren ISOPLUS247-3 Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max.: 600 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2,1 V Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V Minimale Betriebstemperatur: - 55 C Maximale Betriebstemperatur: 150 C Kollektordauerstrom Ic Max.: 45 A Kollektor-Dauerstrom: 14 A IGBT-Transistoren
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IXGR40N60C2D1 IGBT-Transistor 600V 55A 170W TO247
€9,83
TECHNISCHE DATEN: Hersteller IXYS IGBT-Transistor ISOPLUS247-3 Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max. 600V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 2,7V Gate-Emitter-Spannung max. 20V Minimale Betriebstemperatur -55ºC Maximale Betriebstemperatur 150ºC Kollektor-Dauerstrom Max. 56A
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RJH3047 IGBT-Transistor
€7,11
RJH3047 IGBT Transistor IGBT Transistor N Channel High Speed . Mit 3 Jahren Garantie auf hohe Leistung Qualität of.
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HGT30N60A4 IGBT-Transistor N-Kanal 600V TO247
€10,66
Transistor 4557-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 463W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 240A Torlast 360nC
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K40H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 80A TO-247
€23,05
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IGBT-Transistor 1200V 40A 200W TO264 FGL40N120ANDTU
€21,39
Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Transistor Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 1,2kV Kollektorstrom 40A Verlustleistung 200W Gehäuse TO264 Eingangsspannung - Emitter ±25V Kollektorstrom im Impuls 160A Montage THT Torlast 330nC
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IGBT-Transistor 600V 60Amp 300W TO247 FGH60N60SMD
€12,67
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO247-3 Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 180A
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IGBT-Transistor 600V 80A TO247AB-3 FGH40N60UFTU
€10,31
50443-DI Transistor Kollektorstrom 80A Kollektor-Transmitter-Sättigungsspannung 1,8V Verlustleistung 290W Kollektor zu Emitter Spannung 600V TO247AB-Gehäuse Anzahl der Pins 3 Max. Betriebstemperatur 150°C
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K15H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 30A TO-247
€10,10
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IGBT-Transistor 650V 60A 300W TO3P FGA60N65SMD
€13,41
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 650V Kollektorstrom 60A Verlustleistung 300W TO3P-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom bei Impuls 180A Gate-Last 284nC
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Transistor HGTG40N60A4 IGBT 600V 63A 625W TO247
€6,63
Transistor HGTG40N60A4 IGBT 600V 63A 625W TO247
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Transistor HGTP20N60A4 igbt 600V 70A 290W TO220
€5,79
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 290W TO220-3-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 280A Gate-Last 210nC
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IGBT-Transistor 600V 80A 290W TO247-3 FGH40N60SFDTU
€8,94
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). Transistor-Typ IGBT Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 116W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung - Emitter ±20V Kollektorstrom im Impuls 120A
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IGBT-Transistor 600V 80A 195W TO3P-3 SGH80N60UF
€12,34
20891-DI TO3P TRANSISTOR Verwendung in der Vitrokeramik IGBT TO3P TRANSISTOR Maximale Spannung 600 V Leistung 195 W Max.80 A Max. Temperatur 150 °C
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Transistor Igbt 600v 75a 428w To247-3 Ikw75n60t Ikw75n60t
€20,13
IGBT-Transistor IKW75N60T TO247-3 Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES Typ of IGBT-Transistor TRENCHSTOP™-Technologie Kollektor-Emitter-Spannung 600V Strom of Kollektor 75A Verlustleistung 428W Gehäuse TO247-3 Eingangsspannung -Emitter ±20V Strom of Kollektor im Impuls 225A Last of Gate 470nC Einschaltzeit 69ns Ausschaltzeit from off 401ns...
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Transistor mit Diode 600V 80A 195W igbt TO-3P SGH80N60UFD
€10,35
TECHNISCHE DATEN: IGBT-Transistoren TO-3P-3-Kapsel Kollektor-Emitter-Spannung VCEO max. 600 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 2,1 V Maximale Gate-Emitter-Spannung 20 V Kollektordauerstrom bei 25º C 80 A Verlustleistung 195 W Kollektor-Dauerstrom Ic Max 80 A Marke ON Semiconductor / Fairchild
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IGBT-Transistor 600V 75A 380W TO247-3
€17,51
Produkt: IGBT-Module Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 600V Kollektor-Dauerstrom: 75Amp Leistung: 380W Gate-Emitter-Ableitstrom: 100 na Kapsel: TO247-3 Betriebstemperatur: -50ºC bis 150ºC
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Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247
€9,51
Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247Transistor IRGP35B60PDPBF IGBT 600V 40A 308W TO247 . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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FGH30S130P IGBT-Transistor 1300V 30Amp 250W TO247
€10,29
Transistor 24723-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 1,3kV Kollektorstrom 30A Verlustleistung 250W TO247-3 T-Gehäuse Impuls-Kollektorstrom 90A
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TRANSISTOR N-KANAL MOSFET 150A 175V TO-247AD
€33,70
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STGW20NC60VD IGBT-Transistor 600V 30A 200W TO247-3
€6,23
Transistor 21666-DI Hersteller STMicroelectronics IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 30A Verlustleistung 200W TO247-3 Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom im Impuls 150A Gate-Last 140nC
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Transistor 2N6028
€1,51
Transistor 2N6028Transistor 2N6028 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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2N1307 Transistor
€2,36
2N1307 Transistor2N1307 Transistor . Mit 3 Jahren Garantie von hoher Leistung Qualität of.
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Transistor 2N6058
€5,03
Transistor 2N6058
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Transistor 2N2243
€1,07
Transistor 2N2243Transistor 2N2243 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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Transistor 2N5415
€2,08
Transistor 2N5415Transistor 2N5415. 3 Jahre Garantie Mit 3-Jahres-Garantie Qualität ofhigh-performance
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Transistor 2N4091
€2,06
Transistor 2N4091Transistor 2N4091 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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Transistor 2N6051
€2,44
Transistor 2N6051Transistor 2N6051 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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Transistor 2N5298
€1,82
Transistor 2N5298Transistor 2N5298 . Mit 3 Jahren Garantie von hoher Leistung Qualität of.
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Transistor 2N3495
€2,44
Transistor 2N3495Transistor 2N3495 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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2N6027 Transistor
€1,66
Transistor 3205-DI TO92 PUT Transistor Unipolare Polarisierung Verlustleistung 300mW TO92-Gehäuse Eingangsstrom -20/20mA
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Transistor 2N3019
€1,10
Transistor 2N3019Transistor 2N3019 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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Transistor 2N4033
€1,23
Transistor 2N4033Transistor 2N4033 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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Transistor 2N4248
€1,62
Transistor 2N4248Transistor 2N4248 . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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N-Mosfet-Transistor IRFB18N50KPBF
€5,88
TECHNISCHE DATEN: N-MOSFET-Transistor Spannung 500V Strom 11A Leistung 220W Gehäuse TO220AB
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Ugreat - 100 Stück TO-247 Aluminiumoxid-Keramik-Isolierplatten für MOS-IGBT-Transistor-Kühlpad 17 x 22 x 1 mm
€23,97
Funktionen 1. Aluminiumoxid-Keramikplatten sind spezielle Keramikplatten, die aus AL, O, ZrO2 als Hauptrohstoff und Oxid bestehen seltenes Metall, das bei mehr als tausend Grad schmilzt und kalziniert. 2. Mit hohem Schmelzpunkt, hoher Härte und ausgezeichneter Verschleißfestigkeit. 3. Die Härte des Keramikpflasters übertrifft nur die Härte von...
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IGBT-Transistor 600V 40A 250W Kapsel TO247-3 für Vitroceramic STGW39NC60VD
€10,59
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Kollektorstrom 40A Verlustleistung 250W TO247-3 T-Gehäuse Eingangs-Emitter-Spannung ±20V Kollektorstrom bei Impuls 220A Gate-Last 126nC
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN
€15,29
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INFINEON IGBT IGW40N65F5
€3,50
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Igbt Bauform: To-247 max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 650 V max. Continuous Collector Current at 25°(Ic25): 74 A max. Pulsed Collector Current (Icpuls): 120 A Power Dissipation (Ptot): 255 W min. Gate Thereshold...
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Fgh40t65shd-f155 Igbt Transistor 650v 40a To247 Fgh40t65shdf
€11,21
Transistor FGH40T65SHD-F-155 TO247 Hersteller ON Halbleiter IGBT-Transistor RoHS TO-247-Kapsel Spannung 650V Stromstärke 40A
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NPN-Transistor 2SC3182N
€4,25
TRANSISTOR 3621-DI NPN Polarid 10A Leistung Spannung 140V
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N-MosFet-Transistor 2SK1529
€13,41
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Toshiba MOSFET-Transistorkategorie Kanal 1 Transistorpolarität N-Kanal TOP3N-Kapsel 2SJ200 Komplementär
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2SK2996 N-MosFet-Transistor
€3,45
TECHNISCHE DATEN: Hersteller: Toshiba Produktkategorie: MOSFET Gehäuse TO-220-3 Transistor-Polarität: N-Kanal Anzahl der Kanäle: 1 Spannung (Drain-Source-Trennung): 600 V Dauerhafter Drainstrom: 10 A Gate-zu-Source-Spannung: 30 V Minimale Betriebstemperatur: - 55 C Maximale Betriebstemperatur: 150 C Verlustleistung): 45 W Rückfallzeit: 27 ns...
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Metall-Transistor 2N2219A
€2,08
Metalltransistor 2N2219A Metalltransistor 2N2219A . Mit einer 3-Jahres-Garantie, die hohe Qualität und hohe Leistung bietet.
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6284 TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington
€16,10
Vergleichen 2 preiseKemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set
€13,61
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RFP40N10 Transistor TO220
€5,05
Transistor 20304-DI MOSFET, N-Kanal, 40 A 100 V TO-220AB-3
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IXYS Transistor unipolar (MOSFET) IXFH44N50P N-Kanal Gehäuseart TO-247AD I(D) 44 A U(DS) 500 V (IXFH44N50P)
€100,09
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Toshiba - Gt30j121q Igbt Transistor 600v 30a 170w To3pn Gt30j121q
€9,02
Transistor GT30J121Q TO3PN Hersteller TOSHIBA Typ of IGBT-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 600V Strom of Kollektor 30A Verlustleistung 170W TO3PN-Gehäuse Eingangsspannung - Emitter ±20V Strom of Kollektor im Impuls 60A Einschaltzeit 240ns Ausschaltzeit of 430ns
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STP7NB80FP N-Mosfet-Transistor
€3,74
Transistor 52542-DI Transistor N-CHANNEL Spannung 800V POWERMESH Stromstärke 6,5A Leistung 40W TO220FP-Kapsel (isoliert)
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Transistor FQP20N06 N-Mosfet 60V 20Amp TO220
€2,71
Transistor FQP20N06 N-Mosfet 60V 20Amp TO220Transistor FQP20N06 N-Mosfet 60V 20Amp TO220 . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahren bietet a hohe Qualität of Leistung.
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Transistor G30N60HS TO247-3
€8,91
Transistor G30N60HS TO247-3
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2SK3562 N-Mosfet-Transistor TO220F
€2,40
Transistor 4147-DI Hersteller: Toshiba Transistor-Polarität: N-Kanal Drain-Source-Spannung 600V Dauerhafter Drainstrom 6A 4147-DI TO220F-Gehäuse
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Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600 V Tube
€11,44
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Transistor N-MosFet 600V 12A TO220 FDPF12N60NZ
€5,84
TECHNISCHE DATEN: Transistor Polarität Kanal N Drain-Source Spannung 600V Drainstrom kontinuierlich 12A Leiterzustandswiderstand 0,53ohm TO-220F-Gehäuse Verlustleistung 39W Anzahl der Pins 3 Max. Betriebstemperatur150°C
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N-MosFet-Transistor 500V 36A 446W IRFPS37N50APBF
€11,03
TECHNISCHE DATEN: Hersteller VISHAY Transistor N-MOSFET Versorgung-Drain-Spannung 500V Ableitstrom 23A Verlustleistung 446W SUPER247-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Gate-Last 180nC
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Transistor RFP70N06 N-MosFet 60V 7OA TO220AB
€5,64
Transistor RF19496-DI TO220AB MosFert Kanal N Spannung 60V Stromstärke 70A Leistung 150W TO-220AB-Kapsel
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Transistor (bjt) - diskret 2N4401 TO-92 npn - Diotec
€40,-
Transistor (bjt) - diskret 2N4401 TO-92 npn - Diotec
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N-MosFet-Transistor 650V 7Amp TO220F FQPF7N65C
€4,42
14768-DI Transistor Hersteller ON Semiconductor MOSFET TO-220-3-Kapsel N-Kanal-Transistor Polarität Anzahl der Kanäle 1 Drain-Source-Trennspannung 650 V Dauerhafter Drainstrom 7 A Gate-Source-Spannung - 30 V, + 30 V Verlustleistung 52W
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FDD770N15A MosFet n Transistor 150V 18A TO-252-3
€2,98
Transistor 46564-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ N-MOSFET Drain-Source-Spannung 150V Ableitstrom 18A Verlustleistung 56,8 W DPAK-Gehäuse Tür-zu-Quelle-Spannung ±20V Widerstand im Übertragungszustand 77mΩ SMD-Montage
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FQPF13N50C N-MosFet-Transistor 500V 13Amp TO220F
€3,18
Transistor 14767-DI N-Mosfet TO220-3 48W 500V 13Amp
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N-Mosfet-Transistor 600V 11Amp TO220 SPP11N60S5
€3,45
TECHNISCHE DATEN: Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES. N-MOSFET-Transistor CoolMOS™ Technologie Drain-Source-Spannung 600V Ableitstrom 11A Verlustleistung 125W PG-TO220-3 Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Widerstand im Übertragungszustand 0,38Ω Gate-Last 10,5nC
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FQT4N20LTF N-MosFet-Transistor 200V 2,2W SOT223
€2,06
Transistor 47435-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) N-MOSFET®-Transistortyp QFET®-Technologie Source-Drain-Spannung 200V Drainstrom 0,68A Verlustleistung 2,2 W SOT223-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Widerstand im Übertragungszustand 1,4Ω SMD-Montage Gate-Last 5,2nC
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F9640 TRANSISTOR TO-220 ROHS-KONFORM
€35,15
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Transistor (bjt) - diskret 2N2222A TO-92 npn - Diotec
€40,-
Transistor (bjt) - diskret 2N2222A TO-92 npn - Diotec
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Transistor N-Mosfet 500V 5A 38W TO220
€2,36
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON Semiconductor Kategorie MOSFET N TO-220FP-3-Kapsel Kanal 1 Spannung 500V Strom 5A Gate-Source Spannung 30V Temperatur -55ºC bis 150ºC Verlustleistung 38W
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MosFet-Transistor n 900V 2,5A 2SK3566
€2,44
TECHNISCHE DATEN: Hersteller TOSHIBA N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 900V Ableitstrom 2,5A Verlustleistung 40W TO220FP T-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Widerstand im Übertragungszustand 5,6Ω Gate-Last 12nC
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N-Kanal-Transistor 60V 500mA TO92 BS170
€2,30
N-Kanal-Transistor 60V 500mA TO92 BS170N-Kanal-Transistor 60V 500mA TO92 BS170 . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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N-MostFet-Transistor 500V 18A 235W TO220AB FDP18N50
€4,14
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). N-MOSFET-Transistortyp UniFET™-Technologie Unipolare Polarisierung Source-Drain-Spannung 500V Ableitstrom 10,8A Verlustleistung 235W TO220AB-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Widerstand im Übertragungszustand 265mΩ THT-Montage
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FCPF11N60 N-MosFet-Transistor 650V 11A 36W TO220F
€5,38
Transistor 24329-DI Hersteller ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ N-MOSFET Drain-Source-Spannung 650V Ableitstrom 11A Verlustleistung 36W TO220FP-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Gate-Last 52nC
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N-MosFet-Transistor 60V 50A 131W TO220AB RFP50N06
€4,43
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 60V Ableitstrom 50A Verlustleistung 131W TO220AB-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V
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TRANSISTOR TO-3P -ROHS-KONFORM
€16,65
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STP13NM60N N-Mosfet-Transistor 600V 11A 109W TO220-3
€3,69
48892-DI N-MOSFET-Transistor Hersteller STMicroelectronics N-MOSFET-Transistortyp Source-Drain-Spannung 600V Ableitstrom 6,93A Verlustleistung 90W TO220-3-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±25V Übergangszustand Widerstand 360mΩ
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N-Mosfet-Transistor 500V 22A 350W TO-3P IXTQ22N50P
€12,86
TECHNISCHE DATEN: Hersteller IXYS N-MOSFET-Transistortyp Versorgung-Drain-Spannung 500V Ableitstrom 22A Verlustleistung 350W TO3P-Gehäuse Übergangszustand Widerstand 270mΩ Gate-Last 50nC Standard-Leistungsmosfet Bereitschaftszeit 400ns
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