Kunststoffe Transistoren

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PNP-Transistor 100V 6A Kapsel TO220AB BD244C

PNP-Transistor 100V 6A Kapsel TO220AB BD244C

3,01
Transistor Typ PNP Maximaler Kollektor-DC-Strom 6 A Maximale Kollektor-Transmitter-Spannung 100 V Paket Typ TO-220 Montage Typ Durchgangslochmontage Maximale Verlustleistung 65 W Minimale DC-Stromverstärkung 15 Maximale Basis-Kollektor-Spannung 100 V Maximale Emitter-Basis-Spannung 5 V Pin-Anzahl 3 Anzahl der Elemente pro Chip 1 Maximale...
Transistor npn 100V 1A 800mA TO92 BC639-16

Transistor npn 100V 1A 800mA TO92 BC639-16

2,05
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). NPN-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 1A Verlustleistung 800mW TO92-Gehäuse
PNP-Transistor 100V 3Amp 40W TO220 TIP32C

PNP-Transistor 100V 3Amp 40W TO220 TIP32C

1,72
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 3A Verlustleistung 40W TO220AB-Gehäuse
Transistor BDX33C, NPN-Darl., 100 V, 10 A, 70 W, TO220

Transistor BDX33C, NPN-Darl., 100 V, 10 A, 70 W, TO220

0,61
Leistungstransistor Bdx33C, NPN-Darlington, 100 V, 10 A, 70 W, To220
2SA1695 PNP-Transistor 140V 10V 100W TO3P

2SA1695 PNP-Transistor 140V 10V 100W TO3P

6,92
3293-DI Transistor Transistortyp: PNP Bipolar (BJT) Kollektor-Emitter Spannung: 140V Kollektorstrom: 10Amp Leistung: 100W Sättigungs-Vce: 500mV bei 500mA Kollektor-Abschaltstrom: 10μA Betriebstemperatur: 150ºC Gehäuse: TO3P
NPN-Transistor 100V 6A 65W TO220AB BD243C

NPN-Transistor 100V 6A 65W TO220AB BD243C

3,84
TECHNISCHE DATEN: ON SEMICONDUCTOR Hersteller. NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 6A Verlustleistung 65W TO220AB-Gehäuse Frequenz 3MHz
PNP-Transistor 100V 6Amp 65W TO220AB TIP42C

PNP-Transistor 100V 6Amp 65W TO220AB TIP42C

3,16
Hersteller HALBLEITERON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ PNP Polarisation bipolar Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 6A Verlustleistung 65W Gehäuse TO220AB Transistor-Verstärkung 15...75 Montage THT Verpackungsart Rohr Frequenz 3MHz
PNP-Transistor 100V 10A 70W TO220AB BDX34C

PNP-Transistor 100V 10A 70W TO220AB BDX34C

3,76
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Bipolare Polarisierung Darlington-Transistor-Klasse Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 10A Verlustleistung 70W TO220AB-Gehäuse
Transistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMD

Transistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMD

2,26
Transistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMDTransistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMD . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a hohe Qualität ofleistung .
STP30NF10 MosFet-Transistor 100V 35A 115W TO220

STP30NF10 MosFet-Transistor 100V 35A 115W TO220

3,80
STP30NF10 MosFet Transistor 100V 35A 115W TO220STP30NF10 MosFet Transistor 100V 35A 115W TO220 . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a hohe Leistung Qualität of.
NPN-Transistor 100V 6Amp 65W TO220AB TIP41C

NPN-Transistor 100V 6Amp 65W TO220AB TIP41C

2,94
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics NPN-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 6A Verlustleistung 65W TO220AB-Gehäuse
Stmicroelectronics - TIP127 Darlington-Transistor pnp 100V 5A 65W TO220

Stmicroelectronics - TIP127 Darlington-Transistor pnp 100V 5A 65W TO220

1,54
Transistor 23016-DI Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Bipolare Polarisierung Darlington-Transistor-Klasse Kollektor-Emitter-Spannung 100Vdc Kollektorstrom 5Amp Verlustleistung 65W TO220AB-Gehäuse THT-Montage
Widerstand Kohle 100R 1/2W 5% Maße 2,3x6mm

Widerstand Kohle 100R 1/2W 5% Maße 2,3x6mm

3,45
Widerstand Carbon 100R 1/2W 5% Größe 2,3x6mmResistor Carbon 100R 1/2W 5% Größe 2,3x6mm . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahren bietet ahigh quality ofhigh performance.
NPN-Darlingt-Transistor 100V 12A 80W TO220 BDW93C

NPN-Darlingt-Transistor 100V 12A 80W TO220 BDW93C

2,56
TECHNISCHE DATEN: Transistortyp: NPN, Bipolar, Darlington Kollektor-Emitter-Spannung: 100V Kollektorstrom: 12Amp Leistung: 80W Montage: THT-Leiterplatte Gehäuse: TO220AB
Darlington-Transistor PNP 100V 15A 150W TO218 BDW84C

Darlington-Transistor PNP 100V 15A 150W TO218 BDW84C

9,62
oder Transistor PNP Polarisation bipolar Transistor-Typ Darlington Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 15A Leistung 150W Gehäuse SOT93 Transistor-Verstärkung 750 Montage THT
Transistor NPN 65V 100mA 500mW Kapsel TO92 BC546B

Transistor NPN 65V 100mA 500mW Kapsel TO92 BC546B

1,50
Transistor NPN 65V 100mA 500mW Capsule TO92 BC546BTransistor NPN 65V 100mA 500mW Capsule TO92 BC546B . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
Transistor BDW94C, PNP-Darl., 100 V, 12 A, 80 W, TO220

Transistor BDW94C, PNP-Darl., 100 V, 12 A, 80 W, TO220

0,75
Leistungstransistor Bdw94C, PNP-Darlington, 100 V, 12 A, 80 W, To220
Transistor BDX53C, NPN-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220

Transistor BDX53C, NPN-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220

0,50
Leistungstransistor Bdx53C, NPN-Darlington, 100 V, 8 A, 60 W, To220
Bipolarer PNP-Transistor 30V 100mA 500mW TO92 BC559C

Bipolarer PNP-Transistor 30V 100mA 500mW TO92 BC559C

1,50
Transistor PNP Bipolar 30V 100mA 500mW TO92 BC559CTransistor PNP Bipolar 30V 100mA 500mW TO92 BC559C . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a Qualität of hohe Leistung.
Transistor BDX34C, PNP-Darl., 100 V, 10 A, 70 W, TO220

Transistor BDX34C, PNP-Darl., 100 V, 10 A, 70 W, TO220

0,49
Leistungstransistor Bdx34C, PNP-Darllington, 100 V, 10 A, 70 W, To220
Transistor BDX54C, PNP-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220

Transistor BDX54C, PNP-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220

0,50
Leistungstransistor Bdx54C, PNP-Darlington., 100 V, 8 A, 60 W, To220
PNP-Darlington-Transistor 100V 8A 60W TO220 BDX54C

PNP-Darlington-Transistor 100V 8A 60W TO220 BDX54C

1,54
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Bipolare Polarisierung Darlington-Transistor-Klasse Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 8A Verlustleistung 60W TO220AB-Gehäuse Transistorverstärker 750
St Microelectronics - Transistor, TIP122, NPN-Darl., 100 v, 5 a, 65 w, TO220

St Microelectronics - Transistor, TIP122, NPN-Darl., 100 v, 5 a, 65 w, TO220

1,-
NPN Darlington Leistungstransistor 100 V, 5 A, 65 W im TO 220 Gehäuse.
N-MosFet-Transistor 200V 18A 100W TO220AB IRFB4020PBF

N-MosFet-Transistor 200V 18A 100W TO220AB IRFB4020PBF

5,19
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Infineon (IRF) T N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 200V Ableitstrom 18A Verlustleistung 100W TO220AB-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Übergangszustand Widerstand 100mΩ Gate-Last 18nC
Stmicroelectronics - Bipolarer NPN-Transistor 100V 15A 90W TO247-3 TIP3055

Stmicroelectronics - Bipolarer NPN-Transistor 100V 15A 90W TO247-3 TIP3055

3,34
SPEZIFIKATIONEN: Hersteller STMicroelectronics NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 15A Verlustleistung 90W Gehäuse TO247-3
Stmicroelectronics - NPN-Transistor 100V 8A 60W TO220 Darlington BDX53C

Stmicroelectronics - NPN-Transistor 100V 8A 60W TO220 Darlington BDX53C

4,44
Transistor 11834-DI Hersteller STMicroelectronics NPN-Transistor Typ Darlington-Transistor Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 8A Verlustleistung 60W TO220AB-Gehäuse
Transistor NPN BJT 100V 3A 40W TO220-3 BD241CG

Transistor NPN BJT 100V 3A 40W TO220-3 BD241CG

2,03
Transistor NPN BJT 100V 3A 40W TO220-3 BD241CGTransistor NPN BJT 100V 3A 40W TO220-3 BD241CG . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
THINKING Varistor, TVR10101KS216Y-Z, 100V/1mA, RM7,5

THINKING Varistor, TVR10101KS216Y-Z, 100V/1mA, RM7,5

0,17
Technische Daten: Durchmesser: 10mm Rastermaß: Rm7,5 Varistorspannung: 100V/1mA Toleranz:0,1 Betriebsspannung AC: 60Vac Betriebsspannung DC: 85Vdc Surge Strom: Imax 2500A Temperatur: 105°C Anschlüsse: straight lead
Stmicroelectronics - TIP122 NPN-Darlington-Transistor 100V 5A 2W TO220AB

Stmicroelectronics - TIP122 NPN-Darlington-Transistor 100V 5A 2W TO220AB

1,62
23014-DI TO220 Transistor Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ NPN Transistor Typ Darlington Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 5A Verlustleistung 65W TO220AB-Gehäuse
P-Mosfet-Transistor 100V 1A 1,3W 4pin IRFD9120PBF

P-Mosfet-Transistor 100V 1A 1,3W 4pin IRFD9120PBF

2,44
Transistor P-Mosfet 100V 1A 1,3W 4pin IRFD9120PBFTransistor P-Mosfet 100V 1A 1,3W 4pin IRFD9120PBF . MitGarantie of 3 Jahren bietet a hohe Leistung Qualität of.
Stmicroelectronics - MosFet-Transistor 100V 80A 300W TO220-3 STP80NF10

Stmicroelectronics - MosFet-Transistor 100V 80A 300W TO220-3 STP80NF10

5,98
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Transistor N-MOSFET Versorgung-Drain-Spannung 100V Ableitstrom 80A Verlustleistung 300W TO220-3-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Widerstand im Übertragungszustand 15mΩ
Ej.life - Temperatursensorsonde, Patch-Typ PT100 Thermistor Temperaturmessung Empfindliche Edelstahl-Thermistorsonde Rundes Loch(5m)

Ej.life - Temperatursensorsonde, Patch-Typ PT100 Thermistor Temperaturmessung Empfindliche Edelstahl-Thermistorsonde Rundes Loch(5m)

15,3620,73
-26%
Spezifikation: Zustand: 100% nagelneu Artikeltyp: Temperatursensor Material: Kunststoff Modell: PT100 Patchlochdurchmesser: Ca. 6 mm Sondenmaterial: Edelstahl Temperaturbereich: -50 ~ 300 Grad Celsius Anzahl der Drähte: Drei-Draht-System Drahtschutz: Hochtemperaturbeständiger Glasfaser-Abschirmdraht Terminal: UT-Terminal Anwendung: Kraftwerk,...
Pt100-Thermistor-Temperaturfühler, runder Loch-Temperaturmessfühler, Patch-Typ, 5 m, chemische Fabrik, metallurgische Fabrik, Textilfabrik,

Pt100-Thermistor-Temperaturfühler, runder Loch-Temperaturmessfühler, Patch-Typ, 5 m, chemische Fabrik, metallurgische Fabrik, Textilfabrik,

26,80
1、Qualitätssonde Hergestellt aus Edelstahl für eine schnellere und empfindlichere Temperaturmessung. 2、Fiberglas-Abschirmdraht mit Kapazität des Widerstands gegen hohe Temperatur, Hitzebeständigkeit Biegen, präzise Temperaturmessung. 3、Anti-Interferenz, einfache Struktur und kleiner Fehler, lange Lebensdauer, breite Anwendungen. 4、Geeignet für...
Stmicroelectronics - BDW94C PNP-Darlington-Transistor 100V 12A 80W TO220AB

Stmicroelectronics - BDW94C PNP-Darlington-Transistor 100V 12A 80W TO220AB

2,56
Transistor 11830-DI Hersteller STMicroelectronics Transistor Typ PNP Bipolare Polarisierung Darlington-Transistor-Klasse Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 12A Verlustleistung 80W TO220AB-Gehäuse
Vishay - Transistor IRFP140NPBF N-MosFet 100V 27A 94W TO247ac

Vishay - Transistor IRFP140NPBF N-MosFet 100V 27A 94W TO247ac

5,90
Transistor 16575-DIPBF TO247AC Hersteller VISHAY Transistor-Typ N-MOSFET Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 100V Ableitstrom 22A Verlustleistung 180W TO247AC-Gehäuse Tür-zu-Quelle-Spannung ±20V Übergangszustandswiderstand 77mΩ Gate-Last 72nC
On Semiconductor - PNP-Darlington-Transistor 100V 20A 160W TO3 2N6287

On Semiconductor - PNP-Darlington-Transistor 100V 20A 160W TO3 2N6287

12,61
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR. PNP-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Darlington-Transistor-Klasse Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 20A Verlustleistung 160W TO3-Gehäuse
Transtor npn 160V 12A 100W TO247(3P) 2SD1047C

Transtor npn 160V 12A 100W TO247(3P) 2SD1047C

4,62
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Bipolarer BJT-Transistor TO-3P-3-Kapsel NPN-Transistor-Polarität Kollektor-Emitter-Spannung 140V Sender-Basisspannung 6V Verlustleistung 100W Kollektor-Dauerstrom 12A
TDK - B72207S600K101 S07K60 Scheiben-Varistor 100 v 1 St.

TDK - B72207S600K101 S07K60 Scheiben-Varistor 100 v 1 St.

1,30
TDK - B72207S600K101 S07K60 Scheiben-Varistor 100 v 1 St.
TDK - B72220S600K101 S20K60 Scheiben-Varistor 100 v 1 St.

TDK - B72220S600K101 S20K60 Scheiben-Varistor 100 v 1 St.

2,-
TDK - B72220S600K101 S20K60 Scheiben-Varistor 100 v 1 St.
Toshiba - 2sc5198 Transistor Npn 140v 12a 100w To3p 2sc5198/

Toshiba - 2sc5198 Transistor Npn 140v 12a 100w To3p 2sc5198/

5,75
2SC5198 TOSHIBA TO3P-Transistor Hersteller TOSHIBA Transistor Typ NPN Bipolare Polarisierung Kollektor-Emitter-Spannung 140V Kollektorstrom 12A Verlustleistung 100W TO3P-Gehäuse Transistorverstärkung 20...200 Frequenz 15MHz
TDK - B57164K104J B57164K104J NTC-Thermistor K164 100 kΩ 1 St.

TDK - B57164K104J B57164K104J NTC-Thermistor K164 100 kΩ 1 St.

3,-
Beschreibung Heißleiter zur Temperaturkompensation und -messung, z.B. in Transistorschaltungen Eigenschaften Lackierte Scheibe
Ixtp44n10t Transistor 100v 44a 130w To220 Ixtp44n10t

Ixtp44n10t Transistor 100v 44a 130w To220 Ixtp44n10t

6,70
Transistor 55208-DI TO220-3 Hersteller IXYS Transistor-Typ N-MOSFET Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 100V Ableitstrom 44A Verlustleistung 130W TO220-3-Gehäuse Widerstand im Übergangszustand 30mΩ THT-Montage Klasse der Tubenverpackung Angereicherte Kanalklasse halbleiterelement eigenschaften thrench gate power mosfet 60ns...
TDK - B57164-K101-K B57164-K101-K NTC-Thermistor K164 100 ω 1 St.

TDK - B57164-K101-K B57164-K101-K NTC-Thermistor K164 100 ω 1 St.

2,85
Ugreat - 100 Stück TO-247 Aluminiumoxid-Keramik-Isolierplatten für MOS-IGBT-Transistor-Kühlpad 17 x 22 x 1 mm

Ugreat - 100 Stück TO-247 Aluminiumoxid-Keramik-Isolierplatten für MOS-IGBT-Transistor-Kühlpad 17 x 22 x 1 mm

23,97
Funktionen 1. Aluminiumoxid-Keramikplatten sind spezielle Keramikplatten, die aus AL, O, ZrO2 als Hauptrohstoff und Oxid bestehen seltenes Metall, das bei mehr als tausend Grad schmilzt und kalziniert. 2. Mit hohem Schmelzpunkt, hoher Härte und ausgezeichneter Verschleißfestigkeit. 3. Die Härte des Keramikpflasters übertrifft nur die Härte von...
On Semiconductor - Unipolarer N-MOSFET-Transistor 100V 9,8A 50W dpak FQD19N10LTM

On Semiconductor - Unipolarer N-MOSFET-Transistor 100V 9,8A 50W dpak FQD19N10LTM

4,77
Unipolarer N-MOSFET-Transistor 100V 9.8A 50W DPAK FQD19N10LTM
TDK Varistor, B72205S0350K101, S05K35, 100A, 45V/DC, 35V/AC

TDK Varistor, B72205S0350K101, S05K35, 100A, 45V/DC, 35V/AC

0,09
Technische Daten: Typ: S05K35 Stoßstrom: 100A V DC: 45V V AC: 35V Rastermaß: 5 Produkt-Art: Varistor
On Semiconductor - N-Mosfet-Transistor 600V 4A 100W TO220-3 SSP4N60B Unisoliert

On Semiconductor - N-Mosfet-Transistor 600V 4A 100W TO220-3 SSP4N60B Unisoliert

5,71
TECHNISCHE DATEN: MOSFET-Transistor Gehäuse TO-220-3 Anzahl der Kanäle 1 N-Kanal-Transistor Durchschlagsspannung zwischen Drain und Source 600V Dauerhafter Drainstrom 4A Spannung zwischen Gate und Source 30V Arbeitstemperatur - 55 C..150ºC Leistung 100W
PT100 Platin-RTD-Thermistor RTD-Thermoelement Temperaturmessung Sensor Sender RS485 MODUBS RTU-Modul, Version A -20-400 Grad Celsius, 50 cm

PT100 Platin-RTD-Thermistor RTD-Thermoelement Temperaturmessung Sensor Sender RS485 MODUBS RTU-Modul, Version A -20-400 Grad Celsius, 50 cm

23,6635,49
-33%
PTA9B01 PT100 RS485 Sensormodul Funktionsbeschreibung: Versorgungsspannung: DC 8-25V (12V empfohlen) Betriebsstrom: 8-13MA MODBUS RTU Protokoll, 03 Lesebefehl, 06 Schreibbefehl. Baudrate der seriellen Schnittstelle: 9600 (Standard), N, 8, 1 Durch Änderung der 485-Adresse können bis zu 247 Module in Kaskade verwendet werden (bei mehr als 16 bitte...
STMicroelectronics T2535-800G TRIAC D2PAK 25 A 800 V Röhre

STMicroelectronics T2535-800G TRIAC D2PAK 25 A 800 V Röhre

125,46
Leuze HT3C/4P-M8 Taster Hintergrundausblendung
Neu!

Leuze HT3C/4P-M8 Taster Hintergrundausblendung

181,90
Grenzreichweite: 0,005 ... 0,45 m; Lichtquelle: LED, rot; Versorgungsspannung: 10 ... 30 V, DC; Digitale Schaltausgänge: 2 St.; Schaltausgang 1: Transistor, PNP, hellschaltend; Schaltausgang 2: Transistor, PNP, dunkelschaltend; Schaltfrequenz: 1.000 Hz; Anschluss: Rundstecker, M8, Metall, 4 -polig; Bauform Gehäuse: kubisch; Abmessungen: 11,4 mm x...
Transientenschutz für Photovoltaikanlagen DS50PVS Serie Typ 2 DC SPD, 1000V DC, Varistor + GDT CM+DM

Transientenschutz für Photovoltaikanlagen DS50PVS Serie Typ 2 DC SPD, 1000V DC, Varistor + GDT CM+DM

103,71
Varistor LA4KE1B 12- 24V ac/dc - (5 stk.)

Varistor LA4KE1B 12- 24V ac/dc - (5 stk.)

105,39
Vergleichen 2 preise
Eaton EMT6-K Thermistor-Motorschutzrel.

Eaton EMT6-K Thermistor-Motorschutzrel.

147,-
Thermistor-Maschinenschutzrelais, Netz und Fehler LED-Anzeige, umschaltbar mit/ohne Wiedereinschaltsperre, Autoreset Ausführung des elektrischen Anschlusses: SchraubanschlussSpannungsart zur Betätigung: AC/DCMit abnehmbaren Klemmen: neinAnzahl der Messkreise: 1Fehlerspeicherung möglich: neinExterner Reset möglich: neinAnzahl der Kontakte als...
Vergleichen 2 preise
Rucksack Helly Hansen Transistor Recco

Rucksack Helly Hansen Transistor Recco

154,59160,-
Der leichte 30L Transistor-Rucksack ist ein Muss für jedes Outdoor-Abenteuer. Dieser leichte Rucksack wurde als vielseitiger und komfortabler Rucksack konzipiert und verfügt über die Eigenschaften eines größeren Wanderrucksacks in einem leichter zu transportierenden Format. Der Transistor ist vollgepackt mit nützlichen Eigenschaften. Er ist...
Siemens 6ES7222-1BH32-0XB0 S7-1200 DIGITALAUSGAB

Siemens 6ES7222-1BH32-0XB0 S7-1200 DIGITALAUSGAB

195,-
Digitale Ausgänge als Ergänzung der integrierten Peripherie der CPUs zur flexiblen Anpassung der Steuerung an die jeweilige Aufgabe zur nachträglichen Erweiterung der Anlage mit zusätzlichen Ausgängen Spannungsart der Versorgungsspannung: DCDigitale Ausgänge konfigurierbar: jaArt des Digitalausgangs: TransistorAusgangsstrom: 0,5AArt der...
Termistorrelæ kompakt med enhed 17,5 mm hus fjeder-type terminal 1 NO contact, 1 NC contact US = 24

Termistorrelæ kompakt med enhed 17,5 mm hus fjeder-type terminal 1 NO contact, 1 NC contact US = 24

91,14
Eaton EMT6-KDB Thermistor-Motorschutzrel.

Eaton EMT6-KDB Thermistor-Motorschutzrel.

163,-
Thermistor-Maschinenschutzrelais, Netz und Fehler LED-Anzeige, umschaltbar mit/ohne Wiedereinschaltsperre, Autoreset Ausführung des elektrischen Anschlusses: SchraubanschlussSpannungsart zur Betätigung: AC/DCMit abnehmbaren Klemmen: neinAnzahl der Messkreise: 1Fehlerspeicherung möglich: neinExterner Reset möglich: neinAnzahl der Kontakte als...
UNI-T True-RMS Tischmultimeter UT8803E

UNI-T True-RMS Tischmultimeter UT8803E

165,95
Das Ut8803E True-RMS Tischmultimeter von Uni-T besitzt neben dem großen, gut ablesbaren Display eine USB-Schnittstelle, über die das Messgerät mit einem PC fernbedient und ausgelesen werden kann. Geeignet für folgende Messungen: Wechsel-/Gleichspannung, Wechsel-/Gleichstrom, Widerstand, Kapazität, Induktivität, Frequenz, Temperatur, Dioden,...
Vergleichen 2 preise
Siemens 6ES7223-1BH32-0XB0 S7-1200, DIGITALE E/A

Siemens 6ES7223-1BH32-0XB0 S7-1200, DIGITALE E/A

194,-
Digitale Ein- und Ausgänge als Ergänzung der integrierten Peripherie der CPUs, zur flexiblen Anpassung der Steuerung an die jeweilige Aufgabe, zur nachträglichen Erweiterung der Anlage mit zusätzlichen Ein- und Ausgängen Spannungsart der Versorgungsspannung: DCDigitale Eingänge konfigurierbar: jaDigitale Ausgänge konfigurierbar: jaEingangsstrom bei...
Fafeicy 100 Stück TO-247 Aluminiumoxid Keramik Isolierfolie, 17 x 22 x 1 mm mos Transistor mit 3,7 mm Loch, Wärmeleitfähigkeit 28 W/mk und

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16,8422,73
-26%
Spezifikation: Zustand: 100% nagelneu Artikeltyp: Aluminiumoxid-Keramikplatte Material: Aluminiumoxid Farbe: Weiß Wärmeleitfähigkeit: 28 W/mk Isolationsleistung: 15 kV/mm Größe: Ca. 17 x 22 x 1 mm/0,67 x 0,87 x 0,04 Zoll Lochgröße: Ca. 3,7 mm Menge: 100 Stück Paketliste: 100 x Aluminiumoxid-Keramikplatte 1. Die Keramikplatte zeichnet sich durch...
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

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13,96
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Relais 6mm 6A 24 VDC, - Slimline, SPDT, Schraubklemmen, 708522

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16,18
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl der Kanäle 1 PNP

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15,29
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K40H1203 TRANSISTOR IGBT 1200V 80A TO-247

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22,98
Osram QTP5 3X14,4X14, 100000 t, -20 - 50 °C, 50/60 Hz, 40 A, 40 mm, 280 mm

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50,24
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N-KANAL MOSFET 50A 250V BIS-220AB

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13,22
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15015 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

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13,21
Finder 7P.03.8.260.1025Typ 1+2 Kombiableiter

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394,-
Überspannungsableiter Typ 1 + 2, Kompaktgerät. Varistor und Funkenstrecke in Serie zwischen L1, L2, L3 - PEN, für 3-phasige TN-C-Netze. Breite 108 mm. Netzform DC: neinNetzform IT: neinNetzform TN: neinNetzform TN-C: jaNetzform TN-C-S: neinNetzform TN-S: neinNetzform TT: neinNetzform sonstige: neinPolzahl: 3Blitzstoßstrom (10/350 µs): 25kAHöchste...
Digitalmultimeter, TRMS, 1000/750 V AC/DC, 10A, 200MOm, 200uF, mit Dioden-, Transistor-, Schaltungstestfunktionen, Pro'sKit

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36,88
Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-kanal 130 W TO-220

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15,38
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SimPal T40-V2 -GSM-pistorasia, 16 A, 3500 W

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83,48
N-KANAL MOSFET 500V 20A BIS-3P

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16,96
RECOM RAC3.5-24SK/277 AC/DC-printstrømforsyning 24 V 3,5 W

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20,86
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl der Kanäle 1 NPN

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15,29
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6284 TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington

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16,10
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Siemens 6ES7322-1BH01-0AA0 Automatisierungssyst.

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449,-
ermöglichen die Ausgabe von digitalen Signalen der Steuerung an den Prozess, sie formen die internen Signalpegel der S7-300 in die externen, für den Prozess benötigten Signalpegel um, sie sind z.B. geeignet für den Anschluss von Magnetventilen, Schützen, Kleinmotoren, Lampen und Motorstartern, inkl. Beschriftungsstreifen, Busverbinder,...
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