Brillen Transistoren
Vishay - Optokoppler Phototransistor 4 n 27 DIP-6 Transistor mit Basis dc
€4,75
Vishay - Optokoppler Phototransistor 4 n 27 DIP-6 Transistor mit Basis dc
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IRFIZ48NPBF MosFet N-Transistor 55V 36A 42W
€4,21
IRFIZ48NPBF Transistor N MosFet 55V 36A 42WIRFIZ48NPBF Transistor N MosFet 55V 36A 42W . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor N-MosFet 30A 50V TO220 BUZ11A
€4,70
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics Produktkategorie MOSFET N TO-220-3-Kapsel Transistorpolarität N-Kanal Anzahl der Kanäle 1 Spannung zwischen Drain und Source 50 V Dauerhafter Drainstrom: 26 A Spannung zwischen Gate und Source - 20 V, 20 V Minimale Arbeitstemperatur - 65º C Maximale Arbeitstemperatur 175º C Verlustleistung 75 W
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Stmicroelectronics - Transistor N-MosFet 600V 12,6A 140W TO247 STW26NM60N
€11,05
TECHNISCHE DATEN: Hersteller STMicroelectronics N-MOSFET-Transistortyp Source-Drain-Spannung 600V Ableitstrom 12,6A Verlustleistung 140W TO247-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V
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On Semiconductor - N-MosFet-Transistor 60V 50A 131W TO220AB RFP50N06
€7,10
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 60V Ableitstrom 50A Verlustleistung 131W TO220AB-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V
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Ixys - N-Mosfet-Transistor 500V 22A 350W TO-3P IXTQ22N50P
€14,98
TECHNISCHE DATEN: Hersteller IXYS N-MOSFET-Transistortyp Versorgung-Drain-Spannung 500V Ableitstrom 22A Verlustleistung 350W TO3P-Gehäuse Übergangszustand Widerstand 270mΩ Gate-Last 50nC Standard-Leistungsmosfet Bereitschaftszeit 400ns
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Stmicroelectronics - STP13NM60N N-Mosfet-Transistor 600V 11A 109W TO220-3
€5,90
48892-DI N-MOSFET-Transistor Hersteller STMicroelectronics N-MOSFET-Transistortyp Source-Drain-Spannung 600V Ableitstrom 6,93A Verlustleistung 90W TO220-3-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±25V Übergangszustand Widerstand 360mΩ
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Vishay - N-Mosfet-Transistor 400V 10Amp TO220 IRF740PBF
€3,27
TECHNISCHE DATEN: Hersteller VISHAY Transistor N-MOSFET Source-Drain-Spannung 400V Versorgungsstrom 6,3A Verlustleistung 125W TO220AB-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Übergangszustand Widerstand 550mΩ Gate-Last 63nC
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N-MosFet-Transistor 60V 60A TO220 STP60NF06
€3,19
TECHNISCHE DATEN: Hersteller: STMicroelectronics Kategorie MOSFET TO-220-3-Kapsel Transistor-Polarität: N-Kanal 60 V Drain-Source-Trennspannung Dauerhafter Drainstrom: 60 A Source-Drain im Widerstand): 16 mOhm Gate-Source-Spannung 10 V Minimale Betriebstemperatur: - 55 C Maximale Betriebstemperatur: 175 C Verlustleistung 110 W Leistungs-MOSFET Typ:...
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2N6488 NPN-Transistor 80V 15Amp 75W TO220
€2,03
2N6488 Transistor NPN 80V 15Amp 75W TO2202N6488 Transistor NPN 80V 15Amp 75W TO220 . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a Qualität of hohe Leistung.
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IRLR7843PBF N-Mosfet-Transistor 30V 161A 140W DPAK
€4,85
IRLE7843PBF Transistor MOSFET-Transistor Montage: SMD/SMT TO-252-3-Kapsel N-Kanal-Polarität Anzahl der Kanäle 1 Drain-Source-Trennspannung 30 V Dauerhafter Drainstrom: 161 A Gate-Last 34 nC Minimale Betriebstemperatur - 55º C Maximale Betriebstemperatur + 175º C Pd Verlustleistung 140 W
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Vishay - Transistor N-MosFet 220V 20A TO247 IRFP240PBF
€5,45
Transistor N-MosFet 220V 20A TO247 IRFP240PBFT Transistor N-MosFet 220V 20A TO247 IRFP240PBF . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor IRFR3709ZOBF N-MosFet 30V 86A 79W DPAK
€4,21
Transistor IRFR3709ZOBF N-MosFet 30V 86A 79W DPAKTransistor IRFR3709ZOBF N-MosFet 30V 86A 79W DPAK . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor IRLR024NPBF N-MosFet 55V 17A 38W DPAK
€1,77
Transistor IRLR024NPBF N-MosFet 55V 17A 38W DPAKTransistor IRLR024NPBF N-MosFet 55V 17A 38W DPAK . Mit Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor FDS8958A-SMD N/P-MosFet 30/30V SO8
€2,59
Transistor FDS8958A-SMD N/P-MosFet 30/30V SO8Transistor FDS8958A-SMD N/P-MosFet 30/30V SO8 . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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PNP-Transistor 60V 0,6A TO18 2N2907A
€8,93
Transistor PNP 60V 0,6A TO18 2N2907ATransistor PNP 60V 0,6A TO18 2N2907A . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor HUF75339P3 N MosFet 55V 75A TO220
€7,34
Transistor HUF75339P3 N MosFet 55V 75A TO220Transistor HUF75339P3 N MosFet 55V 75A TO220 . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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Rucksack Helly Hansen Transistor Recco
€154,59€160,-
Der leichte 30L Transistor-Rucksack ist ein Muss für jedes Outdoor-Abenteuer. Dieser leichte Rucksack wurde als vielseitiger und komfortabler Rucksack konzipiert und verfügt über die Eigenschaften eines größeren Wanderrucksacks in einem leichter zu transportierenden Format. Der Transistor ist vollgepackt mit nützlichen Eigenschaften. Er ist...
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Vishay - N-Mosfet-Transistor 500V 32Amp 460W TO247AC-3 IRFP32N50KPBF
€12,72
Transistor 51321-DI Hersteller VISHAY N-MOSFET-Transistor Drain-Source-Spannung 500V Ableitstrom 20A Verlustleistung 460W TO247AC-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Widerstand im Übertragungszustand 160mΩ
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Ixtp44n10t Transistor 100v 44a 130w To220 Ixtp44n10t
€6,70
Transistor 55208-DI TO220-3 Hersteller IXYS Transistor-Typ N-MOSFET Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 100V Ableitstrom 44A Verlustleistung 130W TO220-3-Gehäuse Widerstand im Übergangszustand 30mΩ THT-Montage Klasse der Tubenverpackung Angereicherte Kanalklasse halbleiterelement eigenschaften thrench gate power mosfet 60ns...
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Ixys - N-MosFet-Transistor 200V 60A 500W TO220AB-3 IXTP60N20T
€11,94
TECHNISCHE DATEN: Hersteller IXYS N-MOSFET-Transistortyp Supply-Drain-Spannung 200V 60A Ableitstrom Verlustleistung 500W Gehäuse TO220-3 Übergangszustand Widerstand 40mΩ Gate-Last 73nC Bereitschaftszeit 118ns
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N-MosFet-Transistor 600V 7Amp 32W TO220-3FP SPA07N60C3
€7,76
TECHNISCHE DATEN: Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES. Transistortyp N-MOSFET CoolMOS™-Technologie Einpolige Polarisierung Drain-Versorgungsspannung 600V Drainstrom 7A Verlustleistung 32W Gehäuse PG-TO220-3-FP Gate-Source-Spannung ±20V Übergangszustand Widerstand 600mΩ THT-Montage
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On Semiconductor - Unipolarer N-MOSFET-Transistor 100V 9,8A 50W dpak FQD19N10LTM
€4,77
Unipolarer N-MOSFET-Transistor 100V 9.8A 50W DPAK FQD19N10LTM
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On Semiconductor - N-Mosfet-Transistor 1 Kanal 500V 3A TO252-3 FDD5N50UTM
€4,28
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON Semiconductor. MOSFET Montage: SMD/SMT Gehäuse TO-252-3 N-Kanal-Transistor 500V Drain-Source-Trennspannung Drainstrom 3A Verlustleistung 40W
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Broadcom - Optokoppler Phototransistor 4N35-000E DIP-6 Transistor mit Basis dc
€8,10
Beschreibung Die Hauptaufgabe eines Optokopplers in elektronischen Geräten ist die elektrische Trennung und die Entstörung des Signals. Dies ist in einer Vielzahl von Anwendungen nötig, von Stromversorgung und Motorsteuerung bis hin zur Datenkommunikation und Datenverarbeitung. Optokoppler eliminieren jegliche elektromagnetische Störungen. Man...
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MosFet-Transistor TO220FP-3 SPA11N80C3XKSA2
€10,76
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Infineon Typ MOSFET N-Kanal Kapsel TO-220FP-3 Spannung 800V Stromstärke 11Amp Leistung 41W
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Transistor Metall NPN 40V 0,8A TO18 2N2222A
€2,86
Transistor 2N2222A TO18 Metall Hersteller Central Semiconductor Corp. Transistor Typ NPN Kollektor-Emitter-Spannung 40V Kollektorstrom 0,8A Verlustleistung 500mW TO18 Gehäuse Frequenz 300MHz
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Transistor 2SK3114 N-MosFet 600V 4A 30W TO220
€3,80
Transistor 2SK3114 N-MosFet 600V 4A 30W TO220Transistor 2SK3114 N-MosFet 600V 4A 30W TO220 . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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S2000N Transistor 1500V TO3P BUH515 S2000AF
€3,42
S2000N Transistor 1500V TO3P BUH515 S2000AFS2000N Transistor 1500V TO3P BUH515 S2000AF . Mit einer 3-Jahres-Garantie bietet hohe Qualität und hohe Leistung.
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2N6388G NPN-Transistor 80V 10A 2W TO220
€4,02
2N6388G NPN-Transistor 80V 10A 2W TO220
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2N3055 NPN-Transistor 60V 115W 15Amp TO3 CDIL
€4,13
2N3055 CDIL-Transistor NPN Bipolarer Transistortyp Kollektor-Emitter-Spannung 60V Kollektorstrom 15Amp Leistung 115W mit Kühlkörper TO3-Gehäuse Frequenz 2,5Mhz Marke CDIL
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STP10NK60ZFP N-Mosfet-Transistor 600V 10A TO220
€4,32
Transistor ST19426-DI Hersteller STMicroelectronics N-MOSFET-Transistortyp Drain-Source-Spannung 600V Ableitstrom 5,7A Verlustleistung 35W TO220FP Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V
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Transistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMD
€2,26
Transistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMDTransistor IRF530NSPBF N-Mosfet 100V 17A D2PAK SMD . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a hohe Qualität ofleistung .
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IRFP360PBF N-MosFet-Transistor 400V 14A 280W TO247
€8,67
Transistor IRFP360PBF N-MosFet 400V 14A 280W TO247
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On Semiconductor - FQPF9N50CF N-Mosfet-Transistor 500V 44W 5,4Amp TO220FP
€3,16
14770-DIF Isolierter Transistor Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Source-Drain-Spannung 500V Ableitstrom 5,4A Verlustleistung 44W TO220FP-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V
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Vishay - SIHG20N50C-E3 N-MosFet-Transistor 500V 11A 250W TO247AC
€9,25
26778-DI-E3 Transistor Hersteller VISHAY N-MOSFET-Transistortyp Source-Drain-Spannung 560V Ableitstrom 11A Abgeleitete Leistung 250W TO247AC-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Übergangszustand Widerstand 270mΩ Gate-Last 76nC
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On Semiconductor - N-Mosfet-Transistor 600V 4A 100W TO220-3 SSP4N60B Unisoliert
€5,71
TECHNISCHE DATEN: MOSFET-Transistor Gehäuse TO-220-3 Anzahl der Kanäle 1 N-Kanal-Transistor Durchschlagsspannung zwischen Drain und Source 600V Dauerhafter Drainstrom 4A Spannung zwischen Gate und Source 30V Arbeitstemperatur - 55 C..150ºC Leistung 100W
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2n3055-nte Transistor Npn 60v 15a 115w To3 Hohe Qualität 2n3055 -nte
€7,73
2N3055-NTE TO3-Transistor Hersteller NTE Electronics Transistor Typ NPN Kollektor-Emitter-Spannung 60V Kollektorstrom 15A Verlustleistung 115W Gehäuse TO3 Transistorverstärkung 20...70
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On Semiconductor - Fqp13n06l N-Mosfet-Transistor 60v 9,6a 45w To220 Fqp13n06l
€4,47
Transistor FQP13N06L TO220AB Hersteller ON SEMICONDUCTOR N-MOSFET®-Transistortyp QFET®-Technologie 60V Drain-Source-Spannung Drain-Strom 9,6A Verlustleistung 45W TO220AB-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Widerstand im Übergangszustand 140mΩ
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N-MosFet-Transistor 200V 18A 100W TO220AB IRFB4020PBF
€5,19
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Infineon (IRF) T N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 200V Ableitstrom 18A Verlustleistung 100W TO220AB-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Übergangszustand Widerstand 100mΩ Gate-Last 18nC
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Transistor NPN 16A 140V 150W Kapsel TO3 2N3773 CDIL
€9,93
TECHNISCHE DATEN: Hersteller CDIL NPN-Transistor-Typ Kollektor-Emitter-Spannung 140V Kollektorstrom 16A Verlustleistung 150W Gehäuse TO3
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N-Fet-Transistor 600V 8A 50W TO220F 2SK2645
€4,02
TECHNISCHE DATEN: Transistor-Typ N-JFET 600V Drain-Source-Spannung Ableitstrom 8A Leistung 50W TO220ISO-Gehäuse
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Transistor IRFIZ34NPBF N-MosFet 55V 19A 31W TP220F
€2,86
Transistor IRFIZ34NPBF N-MosFet 55V 19A 31W TP220FTransistor IRFIZ34NPBF N-MosFet 55V 19A 31W TP220F . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahre bieten a Qualität of hohe Leistung.
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Transistor P6NK90ZFP N-MosFet 900V 30W TO220FP
€5,04
Transistor 21477-DI TO220FP Hersteller STMicroelectronics N-MOSFET-Transistortyp SuperMesh™ Technologie Drain-Source-Spannung 900V Ableitstrom 3,65A Abgeleitete Leistung 30W TO220FP-Gehäuse
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Transistor HUF75344G3 N MosFet 55V 75A 285W TO247
€9,33
16027-DI TO247-3 Transistor Hersteller ONsemi MosFet N-Kanal Spannung 55V Stromstärke 75A Kapsel TO-247-3
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Vishay - IRFP460A N-Mosfet-Transistor 20A 500V 280W TO247
€7,60
Transistor 16584-DI Hersteller VISHAY N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 500V Ableitstrom 13A Verlustleistung 280W TO247AC-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Widerstand im Übertragungszustand 0,27Ω THT-Montage Gate-Last 105nC
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On Semiconductor - Transistor (bjt) - diskret 2N6284 TO-3 Anzahl Kanäle 1 npn - Darlington
€6,03
Beschreibung Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS
Vergleichen 2 preiseN-MosFet-Transistor 5V 64Amp 94W TO220AB IRFZ48NPBF
€2,33
Transistor N-MosFet 5V 64Amp 94W TO220AB IRFZ48NPBFT Transistor N-MosFet 5V 64Amp 94W TO220AB IRFZ48NPBF . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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STP10NK80ZFP N-MosFet-Transistor 800V 40W TO220FP
€6,76
STP10NK80ZFP Transistor N-MosFet 800V 40W TO220FPSTP10NK80ZFP Transistor N-MosFet 800V 40W TO220FP . Mit 3 Jahren Garantie of 3 Jahren bietet ahigh quality ofperformance .
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Transistor IRF630NPBF N-Mosfet 9,5A 200V 82W TO220
€2,48
Transistor 16537-DINPBF Hersteller INFINEON TECHNOLOGIES N-MOSFET-Transistor Spannung 200V Ableitstrom 9,5A Verlustleistung 82W Kapsel TO220AB Gate-Source-Spannung ±20V
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Vishay - IRFP450PBF N-MosFet-Transistor 14A 500V 190W TO247
€6,58
Transistor 16583-DIPBF Hersteller VISHAY N-MOSFET-Transistortyp Source-Drain-Spannung 500V Ableitstrom 8,7A Verlustleistung 190W TO247AC-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Übergangszustand Widerstand 400mΩ Gate-Last 150nC
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N-Mosfet-Transistor 900V 3Amp 40W TO220FP 2SK3564
€6,99
Transistor N-Mosfet 900V 3Amp 40W TO220FP 2SK3564Transistor N-Mosfet 900V 3Amp 40W TO220FP 2SK3564 . MitGarantie of 3 Jahren bietet a Qualität of hohe Leistung.
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N-Mosfet-Transistor 55V 110A 200W D2PAK IRF3205STRLPBF
€3,91
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Infineon (IRF). N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 55V Ableitstrom 110A Verlustleistung 200W D2PAK-Gehäuse SMD-Montage
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2SC3181N NPN-Transistor 120V 8A 80W TO3P
€5,94
TECHNISCHE DATEN: Silizium-NPN-Leistungstransistoren Capsulsa TO-3P Leistungsverstärker-Anwendungen Empfohlen für 55 W HiFi-Audiofrequenzverstärker-Ausgangsstufe Kollektorbasisspannung Offener Emitter 120 V Kollektor-Emitter-Spannung Kollektorbasis offen 120 V Emitter-Basisspannung offener Kollektor 5 V ICC Kollektorstrom 8 A IBBasisstrom 0,8 A...
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Vishay - N-MosFet-Transistor 400V 16A 190W TO247 IRFP350PBF
€7,02
TECHNISCHE DATEN: Hersteller VISHAY N-MOSFET-Transistortyp Drain-Source-Spannung 400V Ableitstrom 10A Verlustleistung 190W TO247AC-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Übergangszustand Widerstand 300mΩ Gate-Last 150nC
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N-Mosfet-Transistor 55V 110A 200W D2PAK AUIRF3205ZS
€6,76
TECHNISCHE DATEN: Hersteller Infineon (IRF). N-MOSFET-Transistortyp Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 55V Ableitstrom 110A Verlustleistung 170W D2PAK-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±20V Widerstand im Übertragungszustand 6,5mΩ SMD-Montage
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N-MosFet-Transistor 55V 46A 88W TO220AB IRFZ46NPBF
€5,52
N-MosFet-Transistor 55V 46A 88W TO220AB IRFZ46NPBF
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N-Mosfet-Transistor 500V 4,5A 75W TO220 IRF830PBF
€1,69
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N-MosFet-Transistor 55V 89A 130W TO220AB IRL3705NPBF
€6,79
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Vishay - N-Mosfet-Transistor 500V 8A 125W TO220 IRF840PBF
€3,16
TECHNISCHE DATEN: Transistortyp: N-MOSFET Unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drain-Strom: 5.1Amp Leistung: 125W Gehäuse: TO220AB Marke: Vishay
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TRANSISTOR TO-3P -ROHS-KONFORM
€16,60
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Ixys - IXTP4N65X2 Transistor N-MosFet X2 650V 4A 80W TO220AB
€9,51
Transistor 52815-DI Hersteller IXYS N-MOSFET-Transistortyp Technologie der X2-Klasse Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 650V Ableitstrom 4A Verlustleistung 80W TO220AB-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Übergangszustand Widerstand 850mΩ Gate-Last 8,3nC Bereitschaftszeit 160ns
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On Semiconductor - N-Mosfet-Transistor 900V 3,8A 56W TO220FP Isoliert FQPF6N90C
€4,21
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD). N-MOSFET-Transistor Drain-Source-Spannung 900V Ableitstrom 3,8A Verlustleistung 56W TO220FP-Gehäuse Gate-Source-Spannung ±30V Widerstand im Übertragungszustand 2,3Ω Gate-Last 40nC
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On Semiconductor - MosFet n Transistor 500V 5A 31,3W TO220FP isolated FDPF7N50U-G
€7,54
Transistor 50016-DI Mosfet-N TO220F-Kapsel Spannung 500V Strom 5A Leistung 31,3W
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F9640 TRANSISTOR TO-220 ROHS-KONFORM
€35,14
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N-MosFet-Transistor 600V 20A 45W TO220 STP20NM60FD
€12,56
Hersteller ST MIKROELEKTRONIK Transistor Typ N-MOSFET Polarisation unipolar Drain-Source-Spannung 600V Drain-Strom 12.6A Verlustleistung 45W Gehäuse TO220-3 Gate-Source-Spannung ±30V Widerstand im Übertragungszustand 290mΩ Montage THT
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On Semiconductor - Transistor (bjt) - diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 pnp
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On Semiconductor - Transistor (bjt) - diskret 2N4403BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 pnp
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Vishay - Transistor IRFP140NPBF N-MosFet 100V 27A 94W TO247ac
€5,90
Transistor 16575-DIPBF TO247AC Hersteller VISHAY Transistor-Typ N-MOSFET Unipolare Polarisierung Drain-Source-Spannung 100V Ableitstrom 22A Verlustleistung 180W TO247AC-Gehäuse Tür-zu-Quelle-Spannung ±20V Übergangszustandswiderstand 77mΩ Gate-Last 72nC
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Transistor STP10NK80Z N-MosFet 800V 6A 160W TO220
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On Semiconductor - PNP-Darlington-Transistor 100V 20A 160W TO3 2N6287
€12,61
TECHNISCHE DATEN: Hersteller ON SEMICONDUCTOR. PNP-Transistor-Typ Bipolare Polarisierung Darlington-Transistor-Klasse Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektorstrom 20A Verlustleistung 160W TO3-Gehäuse
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Transistor 2SK3568 N Mosfet 500V 12A 40W TO220-FP3
€3,83
SPEZIFIKATIONEN: Transistortyp: Mosfer N 1 Kanal Source-Drain-Spannung: 500V Kontinuierlicher Ableitstrom: 12Amp Gehäuse: TO-220FP-3 Marke: ToshibaToshiba
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On Semiconductor - Transistor (bjt) - diskret 2N4401BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 npn
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On Semiconductor - Transistor (bjt) - diskret 2N4401BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 npn
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On Semiconductor - Transistor (bjt) - diskret 2N3906TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 pnp
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