Transistoren

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Wiha 2831-15 TX T8x75 slimVario

Wiha 2831-15 TX T8x75 slimVario

5,87
slimVario bis zu 33% schlankere Klingen durch integrierte Isolation Durch die integrierte Schutzisolation können tief liegende Schraub- und Federelemente erreicht und betätigt werden. Hochwertiger Chrom-Vanadium Stahl, durchgehend gehärtet, brüniert. Direkt auf den Bit gespritzte Schutzisolation, die ab Größe 4,0 im vorderen Bereich vollständig in...
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THINKING Varistor, TVR07361KS202Y-Z, 360V/1mA, RM5

THINKING Varistor, TVR07361KS202Y-Z, 360V/1mA, RM5

0,15
Technische Daten: Durchmesser: 7mm Rastermaß: RM5 Varistorspannung: 360V/1mA Toleranz:0,1 Betriebsspannung AC: 220Vac Betriebsspannung DC: 300Vdc Surge Strom: Imax 1200A Temperatur: 105°C Anschlüsse: straight lead
FISCHER Glimmerscheiben TOP-3

FISCHER Glimmerscheiben TOP-3

0,13
Zur Verwendung als Isolierscheibe zwischen Transistor und Kühlkörper. Technische Daten: Für Transistor TOP 3 Wärmewiderstand: 0,4 K/W Durchschlagsfestigkeit: 2 kV
ON SEMICONDUCTOR Transistor, BSS84LT1G , SMD, Kleinleistung

ON SEMICONDUCTOR Transistor, BSS84LT1G , SMD, Kleinleistung

0,09
Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: Sot23 U-max: 50V I-max: 0,13A P-max: 0,36W
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9530NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9530NPBF

0,69
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 14 A, 79 W, 0,2 Ω, To-220Ab.
Sortiment Bauelemente, 1 kg

Sortiment Bauelemente, 1 kg

7,99
Dioden, Kondensatoren, Transistoren, Widerstände (teils gegurtet), ca. 1 kg.
VISHAY Leistungs-MOSFET SI4532CDY

VISHAY Leistungs-MOSFET SI4532CDY

0,44
Leistungs-MOSFET-Schalter, Smd, N+P-Channel, 30 V/ -30 V, 6,0/4,3 A, 1,78 W, So8.
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRLB8721PBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRLB8721PBF

0,75
Uds 30 V, Id25 62 A, Rds(on) 0,0087 Ω, Ugs(th) 1,35 V, td(on) 9,1 ns, td(off) 9 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 30 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 62 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0087 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 1,35 V Turn On Delay...
INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung

INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung

0,64
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W
Transistor BC337-25, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92

Transistor BC337-25, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92

0,04
Kleinleistungstransistor Bc337-25, NF, Npn, 45 V, 0,8 A, 0,62 W, 100 MHz, To-92.
CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, 2N2222A, TO-18, NPN

CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, 2N2222A, TO-18, NPN

0,49
HF-Transistor für VHF und schnelle Schalteranwendungen Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V Kollektor-Basis-Spannung: 75 V Emitter-Basis-Spannung: 6 V Kollektorstrom: 0,8 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W Betriebstemperatur: -65 - 200 °C Montage: THT Polatität: NPN Herstellerbezeichnung: 2N2222A Gehäuse: To-18
CDIL Bipolar, Leistungstransistor, BD136-16, TO-126, PNP

CDIL Bipolar, Leistungstransistor, BD136-16, TO-126, PNP

0,21
Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = Bd135-16 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Kollektor-Basis-Spannung: 45 V Emitter-Basis-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 1,5 A Gesamtverlustleistung: 1,25 W Betriebstemperatur: -65 -150 °C Montage: THT Transistortyp: PNP Herstellerbezeichnung: Bd136-16 Gehäuse: To-126
ON SEMICONDUCTOR Transistor BD442G

ON SEMICONDUCTOR Transistor BD442G

0,65
Technische Daten: Polung: PNP Gehäuse: To126 U-max: 80V I-max: 4A P-max: 36W
PANASONIC Varistoren ERZV10D121, 75 V~/100 V-, 50 Stück

PANASONIC Varistoren ERZV10D121, 75 V~/100 V-, 50 Stück

0,73
Technische Daten: Durchmesser: 11,5 mm Rastermaß: Rm7,5 Varistorspannung: 120V Betriebsspannung AC: 75 V~ Betriebsspannung DC: 100 V- Leistung: 0,4 W Ableitstrom (8/20 µs): 3500 A Kapazität max: 1400 pF Packungsinhalt: 50 Stück
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THINKING Varistor, TVR10201KS210Y-Z, 200V/1mA, RM7,5

THINKING Varistor, TVR10201KS210Y-Z, 200V/1mA, RM7,5

0,16
Technische Daten: Durchmesser: 10mm Rastermaß: Rm7,5 Varistorspannung: 200V/1mA Toleranz:0,1 Betriebsspannung AC: 130Vac Betriebsspannung DC: 170Vdc Surge Strom: Imax 2500A Temperatur: 105°C Anschlüsse: straight lead
PANASONIC Varistoren ERZV10D681, 420 V~/560 V-, 50 Stück

PANASONIC Varistoren ERZV10D681, 420 V~/560 V-, 50 Stück

1,-
Technische Daten: Durchmesser: 11 mm Rastermaß: Rm7,5 Varistorspannung: 680V Betriebsspannung AC: 420 V~ Betriebsspannung DC: 560 V- Leistung: 0,4 W Ableitstrom (8/20 µs): 3500 A Kapazität max: 170 pF Packungsinhalt: 50 Stück
JOYIN Varistor Metalloxid 600 mW, 300 V~, RM7,5

JOYIN Varistor Metalloxid 600 mW, 300 V~, RM7,5

0,17
Joyin Varistor Jvr14N, 470 V ± 10%, 385 V-, 300 V~, 600 mW, Rastermaß 7,5 mm Technische Daten: Hersteller: Joyin Varistor-Typ: Metalloxid Varistorspannung: 470 V Spannungstoleranz Varistor: ±10 % Gehäuseabmessungen max.Ø: 16,5 mm Ausgangsraster: 7,5 mm Leistung 600 mW Max. Betriebsspannung: 470 V~, 385 V-
THINKING Varistor, TVR07820KS204Y-Z, 82V/1mA, RM5

THINKING Varistor, TVR07820KS204Y-Z, 82V/1mA, RM5

0,07
Technische Daten: Durchmesser: 7mm Rastermaß: RM5 Varistorspannung: 82V/1mA Toleranz:0,1 Betriebsspannung AC: 50Vac Betriebsspannung DC: 65Vdc Surge Strom: Imax 1200A Temperatur: 105°C Anschlüsse: straight lead
JOY-IT Hall Magnetfeld Sensor A3144

JOY-IT Hall Magnetfeld Sensor A3144

1,75
Der Transistor schaltet durch, falls das Modul in ein Magnetfeld gehalten wird. Dies kann dann am Signalausgang als analoger Spannungswert ausgelesen werden. Kompatibel mit Raspberry Pi, Arduino, uvm. Technische Daten: Chipsatz A3144 Betriebsspannung: 5 V Logik: Low-aktiv Besonderheiten: Integrierte Status-LED Maße (LxBxH): 30x15x7 mm
ON SEMICONDUCTOR Transistor BC549C, NPN, 30 V, 0,1 A, TO92

ON SEMICONDUCTOR Transistor BC549C, NPN, 30 V, 0,1 A, TO92

0,07
Kleinsignaltransistor Bc549C, Npn, 30/30 V, 0,1 A, 625 mW, To-92.
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP150NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP150NPBF

1,20
Uds 100 V, Id25 42 A, Rds(on) 0,036 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 11 ns, td(off) 45 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-247Ac max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 42 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,036 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
Legrand 403433 TX3 LS C13A 1P 6KA 1M

Legrand 403433 TX3 LS C13A 1P 6KA 1M

6,09
TX3 6kA nach IEC/EN 60898-1, Bi-Connect-Klemme, Beschriftungsfenster, Anbau von Hilfsgeräten möglich Auslösecharakteristik: CBemessungsstrom: 13ABemessungsspannung: 230VSpannungsart: ACFrequenz: 50 - 60 HzBreite in Teilungseinheiten: 1Polzahl (gesamt): 1Energiebegrenzungsklasse: 3Zusatzeinrichtungen möglich: jaEinbautiefe: 44mmSchutzart (IP):...
JOY-IT Staubpartikelsensor GP2Y1014AU

JOY-IT Staubpartikelsensor GP2Y1014AU

10,99
Der Gp2Y1014Au ist ein optischer Sensor zur Erkennung von Staub-partikeln. Durch eine integrierte Infrarot-Diode und einem Phototransistor wird das vom Staub reflektierte Licht erkannt und kann so in einem analogen Wert ermittelt werden. Technische Daten: Schnittstelle: Analog Betriebsspannung: 5- 7 V Stromaufnahme max.: 20 mA Stromaufnahme Ø: 11...
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THINKING Varistor, TVR10681KSU10Y-Z, 680V/1mA, RM7,5

THINKING Varistor, TVR10681KSU10Y-Z, 680V/1mA, RM7,5

0,17
Technische Daten: Durchmesser: 10mm Rastermaß: Rm7,5 Varistorspannung: 680V/1mA Toleranz:0,1 Betriebsspannung AC: 420Vac Betriebsspannung DC: 520Vdc Surge Strom: Imax 2500A Temperatur: 105°C Anschlüsse: straight lead
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF1010NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF1010NPBF

1,02
Uds 55 V, Id25 85 A, Rds(on) 0,011 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 39 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 85 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,011 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BF420, TO-92, NPN

CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BF420, TO-92, NPN

0,17
HF-Transistor, für Videoverstärker, kompl. = Bf421 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 300 V Kollektor-Basis-Spannung: 300 V Emitter-Basis-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 0,5 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,8 W Betriebstemperatur: -55 - 150 °C Montage: THT Polatität: NPN Herstellerbezeichnung: Bf420 Gehäuse: To-92
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9Z34NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9Z34NPBF

0,60
Uds 55 V, Id25 19 A, Rds(on) 0,100 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 30 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 19 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,100 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
Transistor BC559C, PNP, 30 V, 0,1A, 0,5 W, TO92

Transistor BC559C, PNP, 30 V, 0,1A, 0,5 W, TO92

0,07
Kleinleistungstransistor Bc559C, Vceo 30 V, Vcbo 30 V, IC 0,1 A, Ptot 0,5 W, hFE 420...800, To92.
JOYIN Varistor Metalloxid 100 mW, 30 V~, RM7,5

JOYIN Varistor Metalloxid 100 mW, 30 V~, RM7,5

0,11
Joyin Varistor Jvr14N, 47 V ± 10%, 38 V-, 30 V~, 100 mW Rastermaß 7,5 mm Technische Daten: Hersteller: Joyin Varistor-Typ: Metalloxid Varistorspannung: 47 V Spannungstoleranz Varistor: ±10 % Gehäuseabmessungen max.Ø: 16,5 mm Ausgangsraster: 7,5 mm Leistung 100 mW Max. Betriebsspannung: 47 V~, 38 V-
THINKING Varistor, TVR10330KS201Y-Z, 33V/1mA, RM7,5

THINKING Varistor, TVR10330KS201Y-Z, 33V/1mA, RM7,5

0,17
Technische Daten: Durchmesser: 10mm Rastermaß: Rm7,5 Varistorspannung: 33V/1mA Toleranz:0,1 Betriebsspannung AC: 20Vac Betriebsspannung DC: 26Vdc Surge Strom: Imax 500A Temperatur: 105°C Anschlüsse: straight lead
CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, 2N2222, TO-18, NPN

CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, 2N2222, TO-18, NPN

0,49
HF-Transistor für VHF und schnelle Schalteranwendungen Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V Kollektor-Basis-Spannung: 60 V Emitter-Basis-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 0,8 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W Betriebstemperatur: -65 - 200 °C Montage: THT Polatität: NPN Herstellerbezeichnung: 2N2222 Gehäuse: To-18
ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semikonduktor, BF256B, N-Channel, TO-92

ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semikonduktor, BF256B, N-Channel, TO-92

0,38
Für HF Verstärker aller Art, bis in den UHF-Bereich (ca. 1000 MHz); Montage Tht. Technische Daten: U DG max:30 V U GS max: -30 V I GF max: 10 mA U GS-off: -0,5 … -8 V I DSS min: 6 … 13 mA g fs: 4,5 mA/V @ UGS = 0V; UDS = 15 V P V max: 350 mW @ 25°C – 2,8 mW/°C
Transistor BC548C, NPN, 30 V, 0,1 A, TO92

Transistor BC548C, NPN, 30 V, 0,1 A, TO92

0,04
Kleinleistungstransistor Bc548C, Npn, Uces 30 V, Uceo 30 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 420...800, To-92.
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF3710ZPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF3710ZPBF

1,10
Uds 100 V, Id25 59 A, Rds(on) 0,018 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 41 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 59 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,018 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
TDK Varistor, B72214S0381K101, S14K385, 4500A, 505V/DC, 385V/AC

TDK Varistor, B72214S0381K101, S14K385, 4500A, 505V/DC, 385V/AC

0,17
Technische Daten: Typ: S14K385 Stoßstrom: 4500A V DC: 505V V AC: 385V Rastermaß: 7,5 Produkt-Art: Varistor
Hochvolt-Elko 4,7µF, 450V, radial, RM 5mm

Hochvolt-Elko 4,7µF, 450V, radial, RM 5mm

0,11
Technische Daten: Kapazität: 4,7 µF Betriebsspannung: 450 V- Bauform: radial Betriebstemperatur: 105 °C Rastermaß: RM 5 Maße (ØxH): 10x17 mm
TDK Varistor, B72220P3511K101, S20K510E3K1, 10000A, 670V/DC, 510V/AC

TDK Varistor, B72220P3511K101, S20K510E3K1, 10000A, 670V/DC, 510V/AC

1,73
Technische Daten: Typ: S20K510E3K1 Stoßstrom: 10000A V DC: 670V V AC: 510V Rastermaß: 10 Produkt-Art: Varistor
EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;

EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;

0,11
Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss. RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm Empfindlichkeit: 0,7 … 4,0 mA … 7,1 mA @ 1 mW/cm², Vce= 5 V Öffnungswinkel: k.A. VCE max: 30 V VEC max: 5 V IC max: 20 mA IC off: 100 nA @ Vce=20 V tr: 15 µsec tf: 15 µsec PV max: 75 mW @...
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ48NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ48NPBF

0,72
Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 34 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 64 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,014 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
PIHER Poti, PT6, KV, 1k, liegend, PT6KV-102A2020-PM

PIHER Poti, PT6, KV, 1k, liegend, PT6KV-102A2020-PM

0,38
Technische Daten: Widerstand: 1 kΩ Ausführung: liegend Widerstandstoleranz: 20 % Widerstandsverlauf: linear Leistung: 0,1 W
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ44NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ44NPBF

0,58
Uds 55 V, Id25 49 A, Rds(on) 0,0175 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 44 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 49 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0175 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
PARKSIDE® Stabelektroden, 1 kg

PARKSIDE® Stabelektroden, 1 kg

3,99
Zum Verbinden von niedriglegiertem Stahl Für alle Schweißpositionen geeignet - auch fallend verschweißbar Leichtes Zünden und Wiederzünden Geringe Schlackebildung Passend zu Schweißgerät Multi »Pmsg 200 A2«; MIG-Pulse-Schweißgerät »200A Pmps 200 A1«; Schweißgerät Inverter »Pisg 120 C4«; Schweißgerät »Pisg 100 A1« und TIG-MMA-Inverter-Schweißgerät...
CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, MPSA56, TO-92, PNP

CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, MPSA56, TO-92, PNP

0,07
NF- Transistor für Spannungen bis 80 V, kompl. = Mpsa06 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 80 V Kollektor-Basis-Spannung: 80 V Emitter-Basis-Spannung: 4 V Kollektorstrom: 0,5 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W Betriebstemperatur: -55 - 150 °C Montage: THT Polatität: PNP Herstellerbezeichnung: Mpsa56 Gehäuse: To-92
Bausatz Tast/Schalt Converter, V1.0

Bausatz Tast/Schalt Converter, V1.0

4,05
Dieser Bausatz konvertiert die Funktion eines Tasters in die eines Schalters. Mit diesem Transistorschalter können dann kleinere Lasten direkt geschalten werden. Für größere Lasten oder solche, die eine Potentialtrennung erfordern, muss die Ansteuerung über ein Trennrelais erfolgen. Technische Daten: Betriebsspannung: 12 V- … 24 V- Stromaufnahme...
JOYIN Varistor Metalloxid 50 mW, 25 V~, RM7,5

JOYIN Varistor Metalloxid 50 mW, 25 V~, RM7,5

0,14
Joyin Varistor Jvr10N, 39 V ± 10%, 31 V-, 25 V~, 50 mW, Rastermaß 7,5 mm
Transistor BDW94C, PNP-Darl., 100 V, 12 A, 80 W, TO220

Transistor BDW94C, PNP-Darl., 100 V, 12 A, 80 W, TO220

0,75
Leistungstransistor Bdw94C, PNP-Darlington, 100 V, 12 A, 80 W, To220
Transistor BC548B, NPN, 30 V, 0,5 A, TO92

Transistor BC548B, NPN, 30 V, 0,5 A, TO92

0,05
Kleinleistungstransistor Bc548B, Npn, Uces 30 V, Uceo 30 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 200...450, To-92.
ST MICROELECTRONICS Transistor TIP 121, NPN-Darl., 80V, 5A, 65W, TO220

ST MICROELECTRONICS Transistor TIP 121, NPN-Darl., 80V, 5A, 65W, TO220

0,57
Tip121 - Npn, Darl, 80 V, 5 A, 65 W - To220
ON SEMICONDUCTOR Transistor

ON SEMICONDUCTOR Transistor

0,82
Technische Daten: Polung: PNP Gehäuse: To220 U-max: 100V I-max: 6A P-max: 65W
Transistor BDX53C, NPN-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220

Transistor BDX53C, NPN-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220

0,50
Leistungstransistor Bdx53C, NPN-Darlington, 100 V, 8 A, 60 W, To220
Transistor BD 237, NPN, 80 V, 2 A

Transistor BD 237, NPN, 80 V, 2 A

0,31
Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: To126 U-max: 80V I-max: 2A P-max: 25W
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ24NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ24NPBF

0,47
Uds 55 V, Id25 17 A, Rds(on) 0,07 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 4,9 ns, td(off) 19 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 17 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,07 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time (td...
FINDER Varistor-/LED-Modul 99.02.0.230.98

FINDER Varistor-/LED-Modul 99.02.0.230.98

3,70
Betriebsspannung 110...230 V~/-, mit grüner Led, geeignet zum direkten Einstecken in die DIN-Schienen-Fassung 97, Farbe grau.
Vergleichen 3 preise
ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J113, N-Channel, TO-92

ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J113, N-Channel, TO-92

0,24
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker; Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen; Gitarrenverstärker usw.; Montage Tht. Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J111; J112; (P-Ch.: J175; J176). Technische Daten: U DG max:35 V U GS max: -35 V I GF max:...
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP260NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP260NPBF

2,80
Uds 200 V, Id25 50 A, Rds(on) 0,040 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 55 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-247Ac max. Drain-Source Voltage (Uds): 200 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 50 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,040 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J112, N-Channel, TO-92

ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J112, N-Channel, TO-92

0,31
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker; Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen; Gitarrenverstärker usw.; Montage Tht. Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J111; J113; (J P-Ch.: J175; J176). Technische Daten: U DG max:35 V U GS max: -35 V I GF max:...
FISCHER Glimmerscheiben TO-3

FISCHER Glimmerscheiben TO-3

0,12
Zur Verwendung als Isolierscheibe zwischen Transistor und Kühlkörper. Technische Daten: Für Transistor To-3 Material: Muskovit Materialstärke: 0,05 mm Wärmewiderstand: 0,4 K/W Durchschlagsfestigkeit: 5 kV
Transistor, BSW65

Transistor, BSW65

0,68
Bsw65 - To39
Transistor BD912, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO220

Transistor BD912, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO220

0,69
Leistungstransistor, bipolar, NF, Pnp, 100 V, 15 A, 90 W, To-220.
Transistor, Darlington, BC517

Transistor, Darlington, BC517

0,13
Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: To92 U-max: 30V I-max: 1,0A P-max: 0,625W
TDK Varistor, B72220S0151K101, S20K150, 8000A, 200V/DC, 150V/AC

TDK Varistor, B72220S0151K101, S20K150, 8000A, 200V/DC, 150V/AC

0,31
Technische Daten: Typ: S20K150 Stoßstrom: 8000A V DC: 200V V AC: 150V Rastermaß: 10 Produkt-Art: Varistor
FISCHER Glimmerscheiben TO-220

FISCHER Glimmerscheiben TO-220

0,06
Zur Verwendung als Isolierscheibe zwischen Transistor und Kühlkörper. Technische Daten: Für Transistor To-220 Material: Muskovit Materialstärke: 0,05 mm Wärmewiderstand: 0,4 K/W Durchschlagsfestigkeit: 5 kV
ON SEMICONDUCTOR Transistor, BSS138LT1G , SMD, Kleinleistung

ON SEMICONDUCTOR Transistor, BSS138LT1G , SMD, Kleinleistung

0,10
Technische Daten: Polung: N-Ch // - Gehäuse: Sot23 // - U-max: 50V // - I-max: 0,2A // - P-max: 0,36W
Transistor BC327-25, PNP, 45 V, 0,8 A, TO92

Transistor BC327-25, PNP, 45 V, 0,8 A, TO92

0,03
Kleinleistungstransistor, Pnp, 45 V, 0,8 A, 200 MHz, hFE 160...400, To-92.
DIOTEC Transistor, Kleinsignal, BC557B-BK

DIOTEC Transistor, Kleinsignal, BC557B-BK

0,03
Technische Daten: Polung: PNP Gehäuse: To92 U-max: 45V I-max: 0,1A P-max: 0,5W
PIHER Poti, PT6, KV, 25k, liegend, PT6KV-253A2020-PM

PIHER Poti, PT6, KV, 25k, liegend, PT6KV-253A2020-PM

0,33
Technische Daten: Widerstand: 25 kΩ Ausführung: liegend Widerstandstoleranz: 20 % Widerstandsverlauf: linear Leistung: 0,1 W
JOYIN Varistor Metalloxid, 20 mW, 14 V~, RM5

JOYIN Varistor Metalloxid, 20 mW, 14 V~, RM5

0,12
Joyin Varistor Jvr07N, 22 V ± 10 %, 18 V-, 14 V~, 20 mW, Rastermaß 5,0 mm Technische Daten: Hersteller: Joyin Varistor-Typ: Metalloxid Varistorspannung: 22 V Spannungstoleranz Varistor: ±10 % Gehäuseabmessungen max.Ø: 9 mm Ausgangsraster: 5 mm Leistung 20 mW Max. Betriebsspannung: 14 V~, 22 V-
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB4110PBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB4110PBF

3,55
Uds 100 V, Id25 180 A, Rds(on) 0,0045 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 25 ns, td(off) 78 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 180 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0045 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay...
Transistor BD139-16, NPN, 80 V, 1,5 A

Transistor BD139-16, NPN, 80 V, 1,5 A

0,19
Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: To126 U-max: 80V I-max: 1,5A P-max: 8W
TDK Varistor, B72205S0350K101, S05K35, 100A, 45V/DC, 35V/AC

TDK Varistor, B72205S0350K101, S05K35, 100A, 45V/DC, 35V/AC

0,09
Technische Daten: Typ: S05K35 Stoßstrom: 100A V DC: 45V V AC: 35V Rastermaß: 5 Produkt-Art: Varistor
EVERLIGHT Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;

EVERLIGHT Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;

0,13
Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm Empfindlichkeit: 0,8 … 5,0 mA @ 0,555 mW/cm², Vce= 5 V Öffnungswinkel: k. A. VCE max: 30 V VEC max: 5 V IC max: 20 mA IC off: 100 nA @ Vce=20 V tr: 15 µsec tf: 15 µsec PV max: 75 mW @ 25 °C...
Transistor BD 138-16, PNP, 60 V, 1,5 A

Transistor BD 138-16, PNP, 60 V, 1,5 A

0,23
Technische Daten: Polung: PNP Gehäuse: To126 U-max: 60V I-max: 1,5A P-max: 8W
Transistor BDX54C, PNP-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220

Transistor BDX54C, PNP-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220

0,50
Leistungstransistor Bdx54C, PNP-Darlington., 100 V, 8 A, 60 W, To220
Transistor BC338-40, NPN, 25 V, 0,8 A, TO92

Transistor BC338-40, NPN, 25 V, 0,8 A, TO92

0,09
Kleinleistungstransistor Bc338-40, Npn; bipolar, 25 V, 800 mA, 625 mW, B 400, To92
Siemens 3RT2916-1JL00 Überspannungsbegrenzer, Va

Siemens 3RT2916-1JL00 Überspannungsbegrenzer, Va

9,20
Überspannungsbegrenzer, Varistor mit LED, AC 127-240 V, 50/60 Hz, DC 70-150 V, für Schütze 3RT2.1 und Hilfsschütze 3RH2 Einfach, effizient, immer aktuell - der SIRIUS Systembaukasten. Suchbegriffe: Austauschteile, Zubehör 3RT2, Ersatzteile 3RT2, Zubehör Schütz, Ersatzteile Schütz, Zubehör Hilfsschütz, Ersatzteile Hilfsschütz, RC-Glied,...
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP250NPBF

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP250NPBF

1,60
Uds 200 V, Id25 30 A, Rds(on) 0,075 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 41 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-247Ac max. Drain-Source Voltage (Uds): 200 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 30 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,075 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay Time...
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